英飞凌BSS316N OptiMOS™2小信号晶体管技术规格

"该资源是英飞凌（Infineon）生产的BSS316N OptiMOS™2小型信号晶体管的详细规格说明书。该芯片是一款N沟道增强模式逻辑级（4.5V额定） MOSFET，符合AECQ101汽车行业质量标准，完全符合RoHS和无卤素要求。" BSS316N是一款由英飞凌科技公司制造的N沟道OptiMOS™2小信号晶体管，设计用于需要高效能和高可靠性的应用。以下是对这款芯片主要特性和参数的详细说明： 1. **特性**： - **N通道增强模式**：这种MOSFET在栅极电压低于阈值时关闭，在高于阈值时导通，实现低功耗控制。 - **逻辑电平**：设计适用于低电压系统，额定栅极阈值电压为4.5V，适合逻辑电路接口。 - **雪崩额定**：允许在特定条件下承受雪崩电流，增加了应用的鲁棒性。 - **AECQ101认证**：符合汽车电子委员会的Q101质量标准，确保在汽车等严苛环境中的可靠性。 - **无铅且符合RoHS和无卤素规定**：环保材料，易于处理，符合国际环保法规。 2. **最大额定值**： - **连续漏电流**（ID）：在25°C时为1.4A，在70°C时为1.1A，随温度升高而降低。 - **脉冲漏电流**（ID，pulse）：在25°C时可承受高达5.6A的脉冲电流。 - **单脉冲雪崩能量**（EAS）：在1.4A的漏电流和25Ω的栅源电阻下，最大为3.7mJ。 - **反向二极管电压变化率**（dv/dt）：在特定条件下可达6kV/μs，保护器件免受高速电压变化的影响。 - **栅源电压**（VGS）：最高允许电压为±20V。 - **功率耗散**（Ptot）：在25°C时未给出具体值，通常取决于封装和散热条件。 - **工作和储存温度范围**：从-55°C到150°C。 3. **电气性能**： - **阈值电压**（VGS）：在10V和4.5V时的最大漏源导通电阻（RDS(on)）分别为160mΩ和280mΩ。 - **漏电流**（ID）：额定连续漏电流为1.4A。 4. **封装与包装信息**： - **封装类型**：PG-SOT23，一种小型表面贴装封装。 - **标记**：BSS316N标识。 - **卷带和盘信息**：每个卷带包含3000个芯片，包装代码为H6327。 - **无干燥剂包装**：表明包装不含干燥剂。 - **额定漏源电压**（VDS）：30V。 5. **应用领域**： BSS316N可能适用于汽车电子、电源管理、信号开关、马达驱动以及其他需要高效能、低功耗和小尺寸晶体管的场合。 这款晶体管凭借其高性能和紧凑的封装，广泛应用于需要高效能开关功能的领域，尤其在汽车电子和工业控制系统中，它的高可靠性使其成为理想选择。