英飞凌OptiMOS3 IPA086N10N3 MOSFET中文规格手册：低RDS(on),高频率应用

英飞凌（INFINEON）的IPA086N10N3 G MOSFET是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET），适用于功率管理与多市场应用。这款OptiMOS™3系列的功率晶体管以其独特的特性在市场上脱颖而出。 该器件的主要特点包括： 1. **N沟道、正常级**：适合在电路中作为N型导电层，用于控制电流流动的方向。 2. **卓越的栅极充电效率**：具有较低的RDS(on)值（导通电阻），这提高了开关速度并降低了功耗密度（FOM，即具体描述为Excellent gate charge product）。 3. **非常低的导通电阻**：RDS(on)值小，有助于减少在高电流下的能量损失。 4. **高温工作能力**：IPAx086N10N3 G可以在高达175°C的环境下稳定运行，这在高温应用环境中具有优势。 5. **环保合规**：采用了无铅封装，并符合RoHS标准，以及通过了JEDEC 1（针对目标应用的合格认证）和IEC 61249-2-21（卤素-free，无卤化物）的环保要求。 6. **隔离度强**：采用全隔离封装，能承受高达2500V的交流电压，确保电气安全。 7. **脉冲电流处理能力**：在25°C下，可承受持续和脉冲的峰值电流分别为45A和180A，适合高频开关和同步整流的应用需求。 8. **功率损耗与温度范围**：在25°C下，最大功率损耗为37.5W，工作和储存温度范围广泛，从-55°C到175°C，符合IEC气候类别55/175/56。 9. **电气参数**：如连续和脉冲漏电流、单脉冲雪崩能量等，都提供了详细的数据，以便工程师在设计时参考。 IPA086N10N3 G MOSFET是一款适用于高性能、高可靠性和环保要求的电力开关元件，特别适合那些需要高效能、高耐温以及严格环保标准的现代电子系统。设计者在选择或评估此类元器件时，会考虑这些关键性能指标来满足特定的应用需求。