英飞凌 IPP045N10N3 G MOSFET 芯片 中文规格说明书

"IPP045N10N3 G INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 本文将详细解读 IPP045N10N3 G 芯片，这是一款由英飞凌科技（Infineon）制造的高性能N沟道MOSFET，适用于高频率开关和同步整流应用。这款芯片的特点包括出色的栅极电荷与漏源导通电阻(RDS(on))乘积（FOM），极低的导通电阻，以及高达175°C的工作温度。此外，它还符合无铅、RoHS标准，并且是无卤素设计，符合IEC61249-2-21标准。 关键性能参数如下： - 漏源电压VDS：100V - 最大漏源导通电阻RDS(on)：4.5毫欧 - 连续漏电流ID：137A - 型号/订购代码：IPP045N10N3G - 封装类型：PG-TO220-3 - 标签标记：045N10N 规格书中还包含了最大额定值、热特性、电气特性以及电气特性图表等内容。这些数据对于理解芯片在实际应用中的表现至关重要。例如，最大额定值决定了芯片在不损坏的情况下可以承受的最大工作条件，而热特性则涉及到芯片的散热能力和长期稳定性。 电气特性图表提供了芯片在不同电压和电流条件下的工作表现，这对于设计电路时选择合适的驱动电路和计算功耗非常有用。封装轮廓部分则详细描绘了芯片的物理尺寸，以便于在PCB布局时确保正确的安装和连接。 英飞凌的OptiMOS 3系列是其功率MOSFET产品线的一部分，该系列以高效能和低损耗著称。IPP045N10N3 G 芯片作为其中的一员，特别适合需要高效率、高速开关操作的应用场景，如电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。 修订历史部分记录了芯片规格的演变，这对于追踪技术更新和改进情况是很有价值的。同时，商标和免责声明部分明确了知识产权和使用条款，保护了英飞凌的权益。 IPP045N10N3 G 是一款高度优化的功率MOSFET，结合了高效能、低电阻和高温耐受性，是电源设计和功率转换领域的一个理想选择。设计师在选用此芯片时，需依据规格书提供的详细信息来确保其与系统需求的兼容性和可靠性。