INFINEON IPI086N10N3 G OptiMOS 3 功率晶体管规格书

IPI086N10N3 G INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册 IPI086N10N3 G 是一款由英飞凌（Infineon）公司生产的 MOSFET 电源晶体管，属于 OptiMOS 3 系列。该芯片的规格书手册中提供了该产品的详细规格和参数信息。 **概述** IPI086N10N3 G 是一款 N 通道 MOSFET 电源晶体管，具有高频率开关和同步整流功能。它的工作电压为 100V，漏电流为 82A，导通电阻为 8.6mΩ，最高工作温度为 175°C。该芯片采用 Pb-free 铅_free_lead_plating，符合 RoHS 规定，适用于高频率开关和同步整流应用。 **特点** * N 通道 MOSFET 电源晶体管 * 工作电压：100V * 漏电流：82A * 导通电阻：8.6mΩ * 最高工作温度：175°C * Pb-free 铅_free_lead_plating，符合 RoHS 规定 * 适用于高频率开关和同步整流应用 **电气特性** * 漏电压（VDS）：100V * 导通电阻（RDS(on)）：8.6mΩ * 漏电流（ID）：82A *highest_junction_temperature（Tj）：175°C **热特性** * Junction_to_ambient_thermal_resistance（RthJA）：不提供数据 * Junction_to_case_thermal_resistance（RthJC）：不提供数据 **封装信息** * 封装类型：PG-TO262-3 * 标记：086N10N **相关链接** * 英飞凌（Infineon）公司官方网站 * IPI086N10N3 G 产品规格书手册下载 **警示** * 请在使用该芯片前阅读和理解相关规格书手册和警示信息 * 请确保正确地使用该芯片，以免损害人身或设备安全 **注意** * 本资源摘要信息仅供参考，实际使用请以官方规格书手册为准 * 请注意相关知识产权和商标所有权问题