TN0200TS-T1-E3-VB MOSFET：20V N沟道SOT23封装电源开关应用

"TN0200TS-T1-E3-VB是一款N沟道SOT23封装的MOSFET，适用于20V工作电压，具备6A的连续漏极电流，具有低的RDS(ON)特性，在4.5V栅极电压下RDS(ON)为24mΩ，2.5V栅极电压下为33mΩ，阈值电压范围在0.45~1V之间。这款器件符合RoHS指令，适用于DC/DC转换器和便携式设备的负载开关应用。" TN0200TS-T1-E3 MOS管是一款高性能的N沟道TrenchFET®功率MOSFET，设计用于在各种电子设备中实现高效能、低功耗的电源管理。该MOSFET采用紧凑的SOT23封装，便于在空间有限的电路板上进行表面贴装。其主要特点包括无卤素成分，符合IEC61249-2-21标准，确保了环保性。此外，该器件经过100%的栅极电荷测试，确保了可靠性和一致性。 在应用方面，TN0200TS-T1-E3适合于直流到直流转换器，这是许多电子系统中的关键组件，如手机、笔记本电脑和其他便携式设备的电源管理。它同样适用于作为便携式设备的负载开关，控制电流流经电路以满足设备的需求。 产品摘要提供了详细的电气参数。在25°C的结温条件下，MOSFET的最大漏源电压VDS为20V，连续漏极电流ID可达到6A，而门极-源极电压VGS的最大值为±12V。当VGS为4.5V时，RDS(ON)为0.028Ω，提供非常低的导通电阻，从而减少传导损耗。随着VGS降低至2.5V和1.8V，RDS(ON)相应增加，但仍然保持在低水平，分别为0.042Ω和0.050Ω。 在热性能方面，MOSFET的最大结温和存储温度范围为-55°C到150°C，允许的最大功率耗散在25°C和70°C下分别为2.1W和1.3W。在不同温度条件下，连续源漏二极管电流IS和脉冲漏极电流IDM也有相应的限制。这些参数对于评估MOSFET在实际应用中的稳定性和散热能力至关重要。 TN0200TS-T1-E3是一款适用于高效率电源管理和负载开关应用的高性能N沟道MOSFET，其低RDS(ON)，紧凑的封装以及良好的热管理特性使其成为各种便携式电子设备的理想选择。