"MTK手机基带的各种电路分析与介绍主要涵盖了外部存储器接口、MCP解码器、NAND闪存等关键组件。本文档基于MT6219芯片,详细阐述了这些电路的工作原理和注意事项,适用于MTK平台的手机基带设计和维修人员学习交流。"
在MTK手机基带电路中,外部存储器接口扮演着至关重要的角色。该接口通常包括4个片选信号(CS0~3),用于连接不同类型的存储设备。例如,/CS0用于连接Norflash,/CS1用于连接pSRAM,/CS2用于SubLCM或MelodyIC(可能未使用,NC表示),而/CS3则用于主LCM。在选择不同供应商的MCP(多芯片封装)部件时,例如Spansion、Toshiba、Renesas和Intel等,需要注意不同厂商的写保护(/WP)接线方式,如Renesas和Intel的/WP应接到GND,而其他供应商的/WP应接到Vmem。
MCP(Multi-Chip Package)解码器是确保正确访问MCP内存的关键部分。以VMEM为例,/CE_F2、/CE_F2_88B、/CE_F2_73B和/CE_F1等信号用于控制MCP的不同部分。通过跳线R350可以切换不同封装的MCP,以支持双Die Flash MCP。当仅使用64Mb容量时,R303设置为0欧姆,U302和R302则保持未连接(NC)。对于GPRS和多媒体应用,建议使用支持页模式的MCP,以提高性能。
NAND闪存作为另一种常见的存储设备,其8位NFI(Non-Volatile Interface)接口提供了高速数据传输。NFI接口的电源供应为VDD,R/#B(Ready/Busy)引脚上拉至47K欧姆。此外,该接口支持高达8Gbits的1Cs容量,以及1位ECC的SLC(Single-Level Cell)设备。特别要注意的是,NAND闪存的写保护信号/WP应该连接到/SYSRST,以确保数据安全。
这些内容不仅提供了MTK手机基带电路的基础知识,还包含了一些实用的技巧和注意事项,对于理解MT6219及其他类似MTK平台的手机基带设计非常有帮助。在实际应用中,理解并掌握这些电路的工作原理,能够有效地进行故障排查和系统优化。