大电容LDO中的Miller补偿：误区与深度解析

在电路设计中，"电路中的频率响应与密勒补偿仿真的分析思考"是一个关键主题。密勒补偿，源自于电路理论中的Miller效应，是一种用于改善放大器在大电容负载下的性能的技术。在本文作者薛晓博的经历中，他面临了一个挑战：如何设计一个高精度、高负载调整率的LDO，该LDO需能为芯片的低压部分提供稳定的电源，并处理大容量的外部电容。 一开始，作者对于使用密勒补偿结构持怀疑态度，尤其是在面对10微法的大电容时，担心其可能不足以应对低频极点问题，可能导致输出不稳定。由于输出电流在限流状态下回到正常范围后，负载电流仍会经历一个逐渐减小的过程，这可能导致输出信号的settling时间延长，而此时电路的频率响应至关重要。 传统的观点倾向于使用如ESR固定零点和零极点追踪等技术来解决此类问题，而不是直接采用密勒补偿。然而，通过深入研究，作者意识到在LDO设计中，密勒补偿实际上是一种常用且有效的方法，许多文献和案例证实了它的应用广泛性。作者承认，自己的认知误区源于对这个领域的知识不足，尤其是在没有实际设计经验的情况下，容易受到既有观念的影响。 一次错误的仿真成为促使作者重新审视这个问题的契机。通过反思和分析，作者意识到密勒补偿并非不能应用于带大电容的LDO设计，而且它可能带来更好的性能，尤其是在处理负载变化时的动态稳定性。通过将Miller电容的两个端子置于低电压域，可能还能降低补偿成本和复杂性。 总结来说，这篇文章讨论了在电路设计中对密勒补偿的误解和重新评价，强调了在实际问题面前，理论知识和实践经验的重要性，以及对新方法和技术保持开放态度的必要性。在面对大电容负载的挑战时，密勒补偿作为一种有效的解决方案，值得设计师深入理解和应用。