IRFR9024NTRPBF MOSFET: 参数解析与应用
172 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 267KB PDF 举报
"IRFR9024NTRPBF-VB是一款由VBsemi生产的P沟道MOSFET,采用TO-252封装。该器件具有低导通电阻(RDS(ON)),在VGS=-10V时为61mΩ,VGS=-4.5V时为72mΩ,最大栅极源电压为±20V,连续漏极电流在25°C时为-30A,100°C时为-25A。此外,它还适用于负载开关等应用。"
IRFR9024NTRPBF是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),设计用于在各种电子设备中实现高效能开关功能。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET技术,这有助于减小器件尺寸,降低导通电阻,从而提高整体系统效率。
该器件的关键参数包括:
1. **导通电阻 (RDS(ON))**:RDS(ON) 是MOSFET在开启状态下的源漏间电阻,影响其作为开关时的损耗。在VGS=-10V时,RDS(ON)为61mΩ,而在VGS=-4.5V时,这一值增加到72mΩ。较低的RDS(ON)意味着在导通状态下流过器件的电流造成的电压降更小,能有效降低工作时的功率损失。
2. **栅极源电压 (VGS)**:MOSFET的阈值电压为-1.3V,最大栅极源电压为±20V。这意味着在-20V至+20V范围内控制栅极电压,可以有效地打开或关闭MOSFET。
3. **连续漏极电流 (ID)**:在25°C环境下,ID的最大值为-30A,而当温度升至100°C时,这个值减小到-25A,这是考虑到随着温度升高,MOSFET的性能会有所下降。
4. **脉冲漏极电流 (IDM)和峰值持续源电流 (IS)**:这些参数定义了MOSFET在短时间内的最大电流能力,对于瞬时大电流应用至关重要。
5. **雪崩能量 (EAS)**:IRFR9024NTRPBF能够承受单脉冲的雪崩能量为7.2mJ,这意味着它在适当条件下能够承受一定的过载而不会损坏。
6. **热特性**:MOSFET的热阻是衡量其散热能力的关键指标。结到壳热阻(RthJC)为5-6°C/W,结到环境热阻(RthJA)在10秒内为20-25°C/W,稳定状态时为62-75°C/W。这些数据对于计算MOSFET在高负荷运行时的温度上升至关重要。
7. **应用领域**:IRFR9024NTRPBF特别适合用作负载开关,因为它的低RDS(ON)使得在开/关切换时损耗较小,同时其较高的额定电流和电压也能满足许多实际应用的需求。
IRFR9024NTRPBF是一款高性能、低损耗的P沟道MOSFET,适用于需要高效开关功能的电路设计,如电源管理、负载开关和其他需要高电流、低损耗特性的电子设备。其制造商VBsemi提供技术支持和服务热线400-655-8788,以便用户在使用过程中获取更多帮助。
2023-10-11 上传
2023-10-11 上传
2023-09-21 上传
点击了解资源详情
2023-11-15 上传
2024-10-09 上传
2023-11-15 上传
2023-12-22 上传
2024-01-09 上传
微碧VBsemi
- 粉丝: 7493
- 资源: 2476
最新资源
- C++ Qt影院票务系统源码发布,代码稳定,高分毕业设计首选
- 纯CSS3实现逼真火焰手提灯动画效果
- Java编程基础课后练习答案解析
- typescript-atomizer: Atom 插件实现 TypeScript 语言与工具支持
- 51单片机项目源码分享:课程设计与毕设实践
- Qt画图程序实战:多文档与单文档示例解析
- 全屏H5圆圈缩放矩阵动画背景特效实现
- C#实现的手机触摸板服务端应用
- 数据结构与算法学习资源压缩包介绍
- stream-notifier: 简化Node.js流错误与成功通知方案
- 网页表格选择导出Excel的jQuery实例教程
- Prj19购物车系统项目压缩包解析
- 数据结构与算法学习实践指南
- Qt5实现A*寻路算法:结合C++和GUI
- terser-brunch:现代JavaScript文件压缩工具
- 掌握Power BI导出明细数据的操作指南