IRFR9024NTRPBF MOSFET: 参数解析与应用

"IRFR9024NTRPBF-VB是一款由VBsemi生产的P沟道MOSFET，采用TO-252封装。该器件具有低导通电阻（RDS(ON)），在VGS=-10V时为61mΩ，VGS=-4.5V时为72mΩ，最大栅极源电压为±20V，连续漏极电流在25°C时为-30A，100°C时为-25A。此外，它还适用于负载开关等应用。" IRFR9024NTRPBF是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于在各种电子设备中实现高效能开关功能。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，这有助于减小器件尺寸，降低导通电阻，从而提高整体系统效率。 该器件的关键参数包括： 1. **导通电阻 (RDS(ON))**：RDS(ON) 是MOSFET在开启状态下的源漏间电阻，影响其作为开关时的损耗。在VGS=-10V时，RDS(ON)为61mΩ，而在VGS=-4.5V时，这一值增加到72mΩ。较低的RDS(ON)意味着在导通状态下流过器件的电流造成的电压降更小，能有效降低工作时的功率损失。 2. **栅极源电压 (VGS)**：MOSFET的阈值电压为-1.3V，最大栅极源电压为±20V。这意味着在-20V至+20V范围内控制栅极电压，可以有效地打开或关闭MOSFET。 3. **连续漏极电流 (ID)**：在25°C环境下，ID的最大值为-30A，而当温度升至100°C时，这个值减小到-25A，这是考虑到随着温度升高，MOSFET的性能会有所下降。 4. **脉冲漏极电流 (IDM)和峰值持续源电流 (IS)**：这些参数定义了MOSFET在短时间内的最大电流能力，对于瞬时大电流应用至关重要。 5. **雪崩能量 (EAS)**：IRFR9024NTRPBF能够承受单脉冲的雪崩能量为7.2mJ，这意味着它在适当条件下能够承受一定的过载而不会损坏。 6. **热特性**：MOSFET的热阻是衡量其散热能力的关键指标。结到壳热阻（RthJC）为5-6°C/W，结到环境热阻（RthJA）在10秒内为20-25°C/W，稳定状态时为62-75°C/W。这些数据对于计算MOSFET在高负荷运行时的温度上升至关重要。 7. **应用领域**：IRFR9024NTRPBF特别适合用作负载开关，因为它的低RDS(ON)使得在开/关切换时损耗较小，同时其较高的额定电流和电压也能满足许多实际应用的需求。 IRFR9024NTRPBF是一款高性能、低损耗的P沟道MOSFET，适用于需要高效开关功能的电路设计，如电源管理、负载开关和其他需要高电流、低损耗特性的电子设备。其制造商VBsemi提供技术支持和服务热线400-655-8788，以便用户在使用过程中获取更多帮助。