"SI2307CDS-T1-E3-VB是一种P沟道的MOSFET,采用SOT23封装,适用于移动计算设备的负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器等应用。该器件具备TrenchFET技术,确保了高效能和低电阻特性。其主要规格包括最大30V的漏源电压(VDS)、在不同栅极电压下的低导通电阻(RDS(on)),以及快速的栅极电荷(Qg)。"
SI2307CDS-T1-E3-VB是Infineon或Siliconix等半导体制造商推出的一款高性能P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它采用先进的TrenchFET技术,这种技术利用沟槽结构来提高器件的密度和降低导通电阻,从而在相同尺寸下提供更好的性能。100%的Rg测试保证了产品的可靠性和一致性。
在应用方面,这款MOSFET特别适合用于移动计算设备,如笔记本电脑和平板电脑。它可以作为负载开关,控制电源的开启和关闭,有效地管理电流流动。此外,它也可以用作笔记本适配器开关,控制电源输入,并在DC/DC转换器中作为功率开关,帮助调节电压和电流,确保设备稳定工作。
从技术规格来看,SI2307CDS-T1-E3-VB的最大漏源电压VDS为-30V,这意味着它可以承受高达30V的反向电压。导通电阻在不同栅极电压下有所不同,例如,当VGS=-10V时,典型值为0.046Ω,而当VGS=-4.5V时,导通电阻上升到0.054Ω。这表明,随着栅极电压的降低,MOSFET的导通状态变得略差,但仍然保持在非常低的水平,有利于减少功耗。
Qg表示栅极电荷,这是衡量开关速度的关键参数,其典型值为11.4nC,意味着在开关过程中,需要较小的电荷来驱动MOSFET的栅极,有助于实现快速开关操作。
该器件还具有绝对最大额定值,如20V的栅源电压(VGS),以及在不同温度下的连续漏极电流(ID)。在25°C时,连续漏极电流可达到-5.6A,而在70°C时则降低至-4.3A。此外,脉冲漏极电流IDM为-18A,表明短时间内的峰值电流处理能力。
连续源漏二极管电流IS在25°C时为-2.1A,而最大功率耗散PD在25°C时为2.5W。这些参数确保了MOSFET在正常工作条件下不会过热,同时提供了足够的电流处理能力。
热特性方面,MOSFET的热阻典型值和最大值给出了散热性能的指标。这些值影响了器件在高功率运行时的温度上升,对长期可靠性至关重要。器件的结温范围从-55°C到150°C,确保了在宽温度范围内稳定工作。
SI2307CDS-T1-E3-VB是一款适用于高效、紧凑型电源管理的P沟道MOSFET,其低RDS(on),小封装尺寸,以及出色的热特性和开关性能,使其成为移动计算设备的理想选择。