FQD11P06-VB: 60V P沟道TO252封装场效应管特性与应用

FQD11P06-VB是一款P沟道的场效应晶体管，采用TO252封装，专为高性能、高效率的应用设计。这款MOSFET是Trench FET®技术的代表，具有优越的性能和可靠性。 产品特性包括： 1. **电压参数**： - VDS（漏源电压）在标准条件下可承受±60V，但需参考安全工作区(SOA)曲线了解降额情况。 - RDS(on)是漏极到源极的典型电阻，当VGS为-10V时，为0.061Ω；当VGS为-4.5V时，为0.072Ω。 - ID表示连续导通电流，例如在TJ=175°C下，持续电流限制为-30A，在TC=100°C时则降至-25A。 2. **脉冲电流和过载能力**： - Pulsed Drain Current (IDM)未给出具体数值，可能表示该器件能够承受短暂的峰值电流。 - Single Pulse Avalanche Energy (EAS)为7.2mJ，表示在特定条件下单次脉冲雪崩能量限制。 3. **功率管理**： - Maximum Power Dissipation (PD)在25°C下为34W，但在高温环境下的限制需查看产品手册。 - 提供了散热性能指标，如Junction-to-Ambient (热阻)和Junction-to-Case (热阻)。 4. **温度范围**： - 操作和存储温度范围为-55°C至175°C，确保了宽泛的环境适应性。 5. **封装和应用**： - TO252封装，适用于空间受限的设计，且支持表面安装，如1"x1" FR-4板。 - 应用领域广泛，特别适合于负载开关等对功率管理和散热要求高的电路。 6. **测试与保证**： - 产品通过了100%的UIST（Unintentional Input Stress Test）验证，设计时提供了保证。 最后，如果需要更详细的信息或技术支持，可通过服务热线400-655-8788联系VBsemi公司获取官方数据表（FQD11P06-VB Datasheet）以获得完整的规格和注意事项。在使用过程中，务必遵循制造商提供的安全操作建议，以确保设备的正常运行和使用寿命。