FQD20N06-VB：175°C耐温N沟道TO252 MOSFET技术规格

"FQD20N06-VB是一款N沟道TO252封装的MOS场效应管，由TrenchFET技术制造，能够承受175°C的结温。其主要特点包括低导通电阻和TO-252封装形式，适用于表面贴装。" 详细说明： FQD20N06-VB是一款N沟道MOSFET，采用TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上形成深沟槽结构来提高MOSFET的性能，如降低导通电阻、增强开关速度和减小体积。这种技术使得FQD20N06-VB在电力转换和管理应用中表现出色。 该器件的额定电压VDS为60V，导通电阻（rDS(on)）在VGS=10V时为0.025Ω，而在VGS=4.5V时为0.030Ω。低导通电阻意味着在导通状态下，流过MOSFET的电流所产生的压降较小，从而提高了效率。TO-252封装设计允许该MOSFET直接与电路板接触，有助于散热。 在绝对最大额定值方面，门极-源极电压VGS为±20V，连续漏极电流ID在结温TJ=175°C时为100mA（在25°C时为23A），脉冲漏极电流IDM为100A。此外，该MOSFET还具有一个内置的二极管，允许在源极和漏极之间进行反向电流流动。连续源电流(IS)为23A，而雪崩电流(IAS)为20A，表明它可以在安全的雪崩条件下工作。 在热特性方面，最大结温到环境的瞬态热阻RthJA在10秒内为18至22°C/W，而稳态时为40至50°C/W。这意味着在高功率应用中，器件能够有效地散发热量。结温到壳体的热阻RthJC为3.2至4°C/W，这有助于评估器件的散热性能。 该MOSFET符合RoHS标准，确保了无有害物质的环保生产。制造商提供了详细的技术参数和设计支持，用户可以通过VBsemi.com获取更多资料或拨打服务热线400-655-8788寻求帮助。 FQD20N06-VB是一款高性能、低功耗的N沟道MOSFET，适合用于需要高效能、快速开关和良好散热性能的电源管理及电子设备中。