2310CGN-HF-VB: N-Channel SOT23 MOSFET详解:60V 4A, 低RDS(on)特性及应用指南
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更新于2024-08-03
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2310CGN-HF-VB是一款由VBSEMİ生产的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款器件的主要特点包括:
1. **环保设计**:符合IEC 61249-2-21标准,不含卤素,注重环保。
2. **技术特性**:
- **沟槽型FET结构**:采用Trench FET技术,提高了开关性能和效率。
- **高可靠性测试**:100%的Rg(输入电导)和UIS(单位面积漏电流)测试,确保了产品的一致性和稳定性。
- **电压等级**:耐压高达60V的Drain-Source Voltage (VDS),支持宽范围的 Gate-Source Voltage (VGS),典型值在±20V之间。
- **电流能力**:
- 静态连续 Drain Current (ID) 在VGS = 10V时达到4A,随着温度变化,如TC=25°C时可承受高达3.4A,而在高温下也有相应的降低。
- Pulsed Drain Current (IDM) 适用于脉冲工作条件,最大值为12A,单次脉冲能量限制为1.8mJ。
- **保护功能**:有连续和脉冲 Source-Drain Diode Current (IS), Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 和 Avalanche Current (IL) 等保护机制,以防止过载和过热。
3. **热管理**:最大功率损耗(PD)在室温下为1.66W,当温度升至70°C时有所下降。允许的最大结温(TJ)和存储温度范围为-55°C至150°C。
4. **应用领域**:这款MOSFET适用于多种应用,例如电池开关和直流/直流转换器,因其小巧的SOT23封装,适合于空间受限的电路设计。
5. **安装注意事项**:建议表面安装在1"x1"的FR4板上,且在5秒时间常数(t)下运行,以确保最佳性能和可靠性。
2310CGN-HF-VB是一款高性能、低阻抗的N-Channel沟道MOSFET,适用于对功率密度和散热效率有较高要求的电子设备中,特别是在电池管理系统、电源转换等应用场合。选择和使用时需注意其工作温度范围和脉冲操作条件下的限制。
2024-03-14 上传
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2024-03-25 上传
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