2306CGN-HF-VB: 20V N-Channel SOT23 MOSFET with Low RDS(on) for D...

2306CGN-HF-VB是一款由VBSEMILTD生产的高性能SOT23封装N-Channel场效应MOS管，特别适用于对低漏电流、高开关速度和环保要求严格的DC/DC转换器和便携式应用中的负载开关。这款器件采用了先进的Trench FET技术，提供了出色的热性能和可靠性。 该MOSFET的主要特性包括： 1. **封装类型**：SOT23封装，紧凑型设计，适合空间受限的应用。 2. **N-Channel沟道**：具有单向导电性，用于控制从源极到漏极的电流。 3. **电压规格**： - ** Drain-Source Voltage (VDS)**: 最大工作电压为20V，确保在安全范围内操作。 - **Gate-Source Voltage (VGS)**: 工作范围为±12V，允许宽广的栅极电压控制。 4. **电流能力**： - **Continuous Drain Current (ID)**: 在不同温度下有上限，例如在TJ=150°C时，持续集电极电流限制为6A。 - **Pulsed Drain Current (IDM)**: 提供了脉冲电流处理能力，确保在短暂峰值下仍能稳定工作。 5. **漏极-源极漏电流（RDS(ON)）**：在特定条件下，如VGS=4.5V时，RDS(ON)仅为24mΩ，表现出优秀的开关效率。 6. **阈值电压（Vth）**：典型值为0.45~1V，表明开启和关闭状态的电压要求。 此外，2306CGN-HF-VB注重环保，符合IEC61249-2-21标准，不含卤素，并且通过RoHS指令2002/95/EC，确保了材料安全。在散热方面，产品在5秒内达到最高温度5s下的功率消耗最大值为125°C/W，具有良好的热管理特性。 对于封装限制，1"x1" FR4板上的表面安装设计使其适应小型电路板布局。工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，满足不同环境条件下的长期稳定运行需求。测试方面，该MOSFET经过100% Rg测试，确保了高质量和一致性。 2306CGN-HF-VB是一款适合于各种低功耗和高效能应用的理想选择，其卓越的电气性能、可靠性和环保特性使得它在现代电子设计中占据一席之地。