AFN2318S23RG-VB:30V SOT23 N-Channel MOSFET详解
AFN2318S23RG-VB是一款由VBSEMICONDUCTOR生产的N-Channel场效应MOSFET,采用SOT23封装,这是一种小型化、低 profile 的封装形式,适合于对空间效率有高要求的应用。这款器件的主要特点包括: 1. **技术特性**: - **无卤素材料**:符合IEC 61249-2-21标准,确保环保且在电子设备中的安全性。 - **沟道设计**:N-Channel结构,适用于工作在正向偏置电压下。 - **Trench FET技术**:利用深度沟槽工艺,提供更高的开关速度和更低的栅极漏电流。 - **可靠性测试**:100%进行Rg测试,确保长期稳定性能。 - **RoHS合规**:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC,强调无有害物质管理。 2. **电气参数**: - **最大电压等级**:耐压可达30V(Drain-Source Voltage, VDS),在VGS=10V时,RDS(ON)为0.030Ω,表现出良好的导通性能。 - **电流能力**:连续工作电流高达6.5A(ID)在TJ=150°C下,脉冲电流极限为IDM=25A。 - **电导率**:栅极到源极电压范围为±20V,栅极漏电流在不同温度条件下有所不同。 3. **应用领域**: - **DC/DC转换器**:由于其高效和小型化的特性,适合于需要紧凑布局和高效电源转换的电路设计。 4. **产品概述**: - SOT-23封装尺寸小巧,便于集成在电路板上,顶部视图显示了G、S、D引脚的位置。 - 被限制的包络条件表明可能在某些负载条件下受到限制。 5. **热性能**: - 最大功率损耗在25°C时为1.7W,存储温度范围宽广,从-55°C至150°C。 - 焊接建议的峰值温度为260°C,注意在操作和存储过程中对温度的控制。 6. **其他注意事项**: - 部分电流指标(如IS)是在特定温度下给出的典型值,实际性能可能因温度而变化。 - 电源损耗在不同温度下的限制也有所区分,需确保不超过限制以防止器件过热。 AFN2318S23RG-VB是一款高性能、环保的N-Channel MOSFET,适用于对尺寸敏感和功率密度要求高的电路,如电源转换和信号放大等应用场景。在使用时,应充分考虑其电气特性和热管理要求。
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