FDFS6N548-NL-VB双N沟道30V MOSFET技术规格与应用

"FDFS6N548-NL-VB是一种双通道N沟道MOSFET，采用SOP8封装，适用于笔记本系统电源和低电流DC/DC转换器等应用。这款MOSFET通过了100%的Rg和UIS测试，符合RoHS指令2002/95/EC。每个通道的最大连续漏源电流在25°C时为7.2A，在70°C时降低到5.9A。" FDFS6N548-NL-VB是VBsemi公司生产的一款高性能、高密度的双通道N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款器件采用了TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，旨在提供更低的导通电阻(RDS(on))，从而提高效率并减少功耗。在25°C时，当栅极电压VGS为10V时，RDS(on)仅为0.016欧姆，而在VGS为4.5V时，RDS(on)为0.020欧姆。 该MOSFET设计有100%的栅极电阻(Rg)测试和100%的不可逆雪崩电流测试(UIS)，确保了其可靠性和稳定性。RoHS兼容性意味着它不含有欧盟限制的有害物质，符合环保要求。此外，FDFS6N548-NL-VB具有标准的SO-8封装，方便在电路板上安装。 在应用方面，FDFS6N548-NL-VB适合用于笔记本电脑的系统电源管理，以及低电流直流-直流转换器。在这些应用中，低RDS(on)特性有助于降低开关损耗，提高电源转换效率。此外，每个通道的绝对最大额定值包括30V的漏源电压(VDS)、±20V的栅源电压(VGS)以及在不同温度下的连续漏源电流限制。 在瞬态条件下，脉冲漏源电流IDM可达30A，而源漏二极管电流IS在25°C时为1.8A，脉冲源漏电流ISM同样可达30A。单脉冲雪崩电流IAS为10A，允许短暂的过载条件，而单脉冲雪崩能量EAS则限制在5焦耳，以防止器件损坏。最大功率耗散在25°C时为3.1W，在70°C时降至2.0W，这要求在实际应用中对散热进行适当的管理。 FDFS6N548-NL-VB是一款适用于需要高效能、低功耗和可靠性的电源管理方案的双通道N沟道MOSFET。其特性如低RDS(on)和良好的热性能使其成为各种电子设备中的理想选择，特别是对于那些对功率转换效率有高要求的系统。