AP4407GM-HF-VB: 30V P-Channel MOSFET详解:性能、应用与规格
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更新于2024-08-03
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AP4407GM-HF-VB是一款由VBSEMIPower MOSFET公司生产的高性能P-Channel沟道MOSFET,它采用Trench FET技术,特别适用于对低功耗和高效率要求的应用场合。这款SOP8封装(Surface Mount Device,表面安装器件)晶体管具有以下关键特性:
1. **环保特性**:根据IEC 61249-2-21标准,该MOSFET不含卤素,符合环保要求。
2. **耐压能力**:集电极-源极电压(VDS)可达-30V,确保在各种负载条件下安全工作。
3. **电流控制**:在10V的栅极-源极电压(VGS)下,最大持续导通电流(ID)为-11.6A,而当VGS为-4.5V时,电流下降到-10A,表现出良好的线性特性。
4. **阈值电压**(Vth):-1.42V,这决定了晶体管开始导通所需的最小栅极电压。
5. **测试认证**:100%的栅极电阻(Rg)和输入漏电流(UISTest)测试确保了产品的高质量。
6. **应用场景**:AP4407GM-HF-VB适用于负载开关、笔记本电脑和台式电脑等应用中的电源管理,特别是需要高效能和低损耗的地方。
7. **散热管理**:在连续工作条件下,最大功耗为5.6W(25°C),并且随着温度升高有所降低,保证了组件的长期稳定运行。
8. **过载保护**:单脉冲雪崩电流(AS)为-20A,单次脉冲雪崩能量为20mJ,确保在短暂过载时的设备安全性。
9. **温度范围**:操作和储存温度范围宽广,从-55°C到+150°C,适应不同环境条件。
10. **封装形式**:SOP8封装便于集成在小型电路板上,例如1"x1" FR4板。
AP4407GM-HF-VB是一款具有高可靠性和低功耗特性的P-Channel MOSFET,特别适合对电路设计者来说,用于构建高效能且绿色的电子设备,如电源转换器、适配器等,在确保系统稳定性的同时,也降低了能耗和成本。在选择和使用这款MOSFET时,务必考虑其额定限制以及应用中的实际工作条件。
2024-04-10 上传
2024-04-09 上传
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