AP9579GM-HF-VB: 高性能P沟道SOP8封装MOSFET特性与应用
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更新于2024-08-03
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AP9579GM-HF-VB是一种高性能的P沟道60V耐压双极型晶体管(MOSFET),它采用了TrenchFET® PowerMOSFET技术,确保了高效率和低损耗。这款器件经过严格的100% UISTested品质保证,适用于各种负载开关应用,特别适合于对电流和功率密度有较高要求的电路设计。
该MOSFET的主要特性包括:
1. **电压参数**:
- 阴极-阳极电压(VDS)可达-60V,确保在高压环境下稳定工作。
- 门-源电压(VGS)支持±20V的宽范围,以实现灵活的控制性能。
2. **电流规格**:
- 连续漏极电流(ID)在室温下(TA=25°C)可达到-10A,随着温度升高,会有所下降。
- 在-9V的栅源电压下,其典型值为76nC的通态电荷(Qg),有助于快速开关响应。
3. **过载和保护特性**:
- 最大脉冲漏极电流(IDM)为-50A,以防止短时间极端情况下的过流。
- 单脉冲雪崩电流(IAS)和单脉冲雪崩能量(EAS)分别为-45A和101mJ,确保安全操作。
4. **安全与保护**:
- 连续源-漏二极管电流(IS)在室温下为69A,提供一定的保护作用。
- 最大功率耗散(PD)在不同温度条件下有明确限制,如25°C时为104.2W,70°C时为66.7W。
5. **温度范围**:
- 耐用的工作温度范围是-55°C至150°C,包括运行和储存条件。
6. **热阻**:
- 常态结-环境热阻(RthJA)和结-壳热阻(RthJC)提供了散热设计参考,确保器件在高温下的可靠运行。
AP9579GM-HF-VB作为一款SOP8封装的MOSFET,其紧凑的封装尺寸便于表面安装在1"x1"的FR4板上,提高了空间利用效率。设计师在选择这款器件时,需注意其应用的极限条件,并在电路设计中考虑到其特定的电压、电流和温度特性,以确保系统性能和稳定性。
2024-04-09 上传
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