SI4425DY-T1-E3&11-VB: 高性能P沟道SOP8封装场效应管

SI4425DY-T1-E3&11-VB是一款由Si4425系列的P沟道30V(D-S)电压MOSFET所构成的场效应晶体管。它采用先进的Trench FET® Power MOSFET技术，确保了高效能和低损耗特性。这款晶体管的特点包括： 1. **环保设计**：根据IEC 61249-2-21标准，该产品不含卤素，对环境友好。 2. **高可靠性**：经过100%的Rg（栅极电阻）和UIS（单位时间关断电流）测试，确保了在各种工作条件下具有出色的性能稳定性。 3. **应用广泛**：适用于负载开关、笔记本电脑和台式电脑等电子设备中的电源管理或负载切换功能。 4. **电气参数**： - 驱动电压（VDS）范围：-30V，最大持续漏源电压。 - 驱动电流（VGS）范围：±20V，允许的栅极源电压。 - 持续漏电流（ID）：在不同温度下有不同限制，如在25°C时，最大值为-11.6A；而在70°C时有所降低。 - 连续源漏电流（IS）：在25°C时，最大值为-4.6A。 - 单脉冲雪崩电流（I_A）：在0.1mH电感下，最大能量吸收为20mJ。 - 功率处理能力：在不同温度下，最大功率耗散从25°C时的5.6W到70°C时的3.6W不等。 5. **温度规格**：操作和存储温度范围为-55°C至150°C，提供了良好的热管理特性。 6. **热阻抗**：表征了晶体管内部热量传递的效率，是评估散热设计的重要参数。 7. **封装形式**：该晶体管表面安装在1"x1"的FR4基板上，适合小型化和集成设计。 这款SI4425DY-T1-E3&11-VB场效应管因其高性能、可靠性和紧凑的SOP8封装，是现代电子产品中实现低功耗、高效率开关的理想选择，适用于需要精确控制电流和电压的应用场景。在电路设计时，必须注意其额定工作条件和限制，以确保元件的安全运行和系统性能。