VBsemi FQP85N06-VB：高性能N沟道TO220封装MOSFET

"FQP85N06-VB是一款N沟道60V TO220封装的MOSFET，由VBsemi公司生产。这款MOSFET采用TrenchFET技术，能够承受175°C的结温，适用于高温度环境。其主要特性包括TO-220AB封装、低导通电阻和高脉冲电流能力。" FQP85N06-VB是一种高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用先进的TrenchFET结构，这种技术使得MOSFET在保持良好开关性能的同时，具有较低的导通电阻，从而提高电源效率和降低工作时的热量产生。这款器件设计用于处理较大的电流，其连续漏极电流（ID）在环境温度为25°C时可达到60A，而在100°C时则为50A。 该MOSFET的最大门极-源极电压（VGS）为±20V，允许在宽泛的电压范围内进行控制。其短时脉冲漏极电流（IDM）高达200A，适合应用于需要瞬时大电流的场合。此外，它还具备持续源极电流（IS）50A的规格，表明它也可以作为二极管使用。Avalanche电流（IAS）为50A，意味着它可以在规定的单次雪崩能量（EAS，125mJ）下安全工作，前提是占空比不超过1%。 热特性方面，FQP85N06-VB的结到外壳热阻（RthJC）典型值为0.85°C/W，最大值为1.1°C/W，而结到环境的热阻（RthJA）在短期热测试条件下（t≤10秒）典型值为15°C/W，稳态条件下的最大值为50°C/W。这意味着在散热良好的情况下，该器件能有效地散发工作产生的热量。 产品的主要参数包括在VGS=10V时的导通电阻RDS(on)为0.011Ω，而在VGS=4.5V时为0.013Ω，这表明随着栅极电压的增加，导通电阻会降低，从而改善导通性能。此外，这款MOSFET的工作结温和储存温度范围广泛，为-55°C至175°C。 FQP85N06-VB适用于需要高功率处理和高效能的电路设计，例如电源管理、电机驱动、开关电源以及需要大电流切换的其他应用。用户可以联系VBsemi的服务热线400-655-8788获取更多详细信息或查阅FQP85N06-VB的数据手册以获取完整的规格和技术细节。