Micron 1Gb DDR SDRAM规格数据表
本文档是一份关于1GB DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) 的规格说明书,由 Micron Technology, Inc. 发布。DDR SDRAM 是一种高速内存技术,其特点是数据传输速度是传统SDRAM的两倍,每时钟周期内可以进行两次数据访问。以下是该1GB DDR SDRAM产品的关键特性: 1. **规格与型号**: 提供了三种不同配置的产品——MT46V256M4(64MB X4 Banks)、MT46V128M8(32MB X8 Banks)和MT46V64M16(16MB X16 Banks),分别对应不同的容量和银行数量。 2. **供电电压**: 需要稳定的+2.5V ± 0.2V 电源(VDD)和 +2.5V ± 0.2V 数据信号电压(VDDQ)。这些严格的电压要求确保了内存的稳定性和性能。 3. **接口与通信**: 使用双向数据 strobe (DQS) 线进行数据传输,DQS与数据同步,即源同步数据捕获(对于16位模式,有两个DQS信号,每个字节一个)。数据和地址命令在正时钟边缘(CK edge)输入。 4. **内部架构**: 内部采用pipelined DDR架构,提高了数据处理能力,每时钟周期可以读写两次数据。 5. **时钟管理**: DQS线与数据对齐,READ操作时DQS与数据同步,而WRITE操作时DQS位于数据中心。利用DLL(Delay Locked Loop)确保DQ和DQS的精确时序控制。 6. **内存分段**: 四个内部银行,支持并行操作,提高数据传输效率。对于写入,提供了数据掩码(DM),对于16位模式,每字节有一个DM。 7. **内存模式**: 支持可编程的突发长度,可以选择2、4或8字节,增加灵活性。 8. **刷新模式**: 提供自动刷新(AutoRefresh)和自刷新(SelfRefresh)模式,以延长电池寿命和维护数据一致性。 9. **可靠性增强**: 长引脚TSOP封装(OCPL)用于改善整体可靠性。 10. **I/O标准**: 2.5V I/O接口,兼容SSTL_2标准,确保与其他系统设备的兼容性。 11. **额外功能**: 包括并发自动预充电选项,这有助于优化内存控制器的效率。 这份数据表对于理解1GB DDR SDRAM的工作原理、规格限制和应用选择至关重要,是硬件工程师、系统设计者以及对内存技术感兴趣的读者了解此类高速存储器的重要参考资料。
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