SOI基1×3多模干涉耦合器：宽带宽准任意分光研究

本文主要探讨了宽带宽准任意分光的1×3多模干涉耦合器在集成光子学领域的研究进展。作者王越、邱吉芳等针对集成光子学的快速发展，尤其是绝缘体上硅(SOI)材料因其成熟制造工艺和与CMOS兼容性备受关注，成为了集成光子学的理想平台。在集成光路系统中，1×3耦合器作为基础器件，能够实现复杂的光路功能，如光开关、环形谐振器和马赫-曾德尔干涉仪(MZI)。 研究重点是基于SOI的1×3多模干涉(MMI)耦合器，其特点是通过调整MMI多模区域的结构来实现准任意分光比。作者利用时域有限差分法(FDTD)对这种耦合器进行了模拟仿真，结果显示，在1500nm至1600nm的宽波长范围内，即使分光比设定为1：2：1，器件的分光比变化仅2.2%，且插入损耗保持在低于0.3dB的水平。这些特性表明，新型基于SOI的准任意分光比1×3 MMI耦合器在带宽宽、尺寸紧凑、结构简单和低损耗方面具有显著优势。 该研究不仅提升了集成光子学器件的设计灵活性，也为集成光路设计和信号处理提供了新的可能。此外，论文还提到了国家自然科学基金青年基金资助项目以及北京邮电大学信息光子学与光通信研究院的研究背景，强调了伍剑教授及其团队在高速光传输、光交换和光互联网络等方面的研究实力。关键词包括集成光子学、多模干涉和耦合器，反映出该研究在光学通信领域的核心地位。 这篇论文深入探讨了宽带宽准任意分光1×3多模干涉耦合器的技术细节和应用潜力，对于推动集成光子学技术的发展具有重要的学术价值和实践意义。