QM2423K-VB P沟道MOSFET性能与应用解析
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更新于2024-08-03
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"QM2423K-VB是一款P沟道、SOT23封装的MOSFET,适用于各种低电压、低电阻的应用场景。该器件的主要特性包括其20V的最大 Drain-Source 电压(VDS)、以及在不同栅源电压(VGS)下的低导通电阻(RDS(on)),如0.035欧姆(VGS=-10V)、0.043欧姆(VGS=-4.5V)和0.061欧姆(VGS=-2.5V)。它具有小尺寸的TO-236(SOT-23)封装,适合表面安装。QM2423K-VB的最大连续漏电流(ID)随温度变化,在25°C时为-5mA,70°C时为-4.8mA。此外,它还具备18mA的脉冲漏电流(IDM)能力和2.1mA的连续源漏二极管电流(IS)。最大功率耗散(PD)在25°C时为2.5W,而70°C时降至1.6W。其工作结温及储存温度范围为-55°C至150°C,具有良好的热性能,典型结温到环境的热阻(RthJA)为75°C/W,而结到脚(Drain)的热阻(RthJF)为40°C/W。该产品符合IEC61249-2-21的无卤素标准,具有环保特性。"
QM2423K-VB是P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),这种类型的MOSFET在正栅极电压下打开,允许电流流过,而在零或负栅极电压下关闭,阻止电流流动。其SOT23封装设计使得器件体积小巧,适合于需要节省空间的电路设计。在低电压操作中,MOSFET的RDS(on)是非常重要的参数,因为它直接影响到导通状态下的功耗。QM2423K-VB的RDS(on)在不同的VGS下表现出优秀的性能,这使得它在电源开关、电压调节和其他需要低损耗切换的应用中非常有用。
该MOSFET的最大漏电流ID和脉冲漏电流IDM限制了其在不同条件下的电流处理能力。此外,最大功率耗散PD和热阻特性对于确保器件在高温环境下稳定工作至关重要。QM2423K-VB的热特性意味着它可以在一定条件下有效地散热,从而降低因过热导致的故障风险。
值得注意的是,QM2423K-VB的结温与储存温度范围广泛,适应多种环境条件。无卤素的设计使其符合现代电子设备对环保材料的要求,满足了绿色制造的标准。因此,这款MOSFET适用于需要高效、小型化、环保的电子产品,如便携式设备、电池供电系统和低功耗电路。
2023-12-28 上传
2024-05-24 上传
2024-05-24 上传
2023-07-13 上传
2023-05-22 上传
2024-02-19 上传
2023-07-08 上传
2023-07-08 上传
2023-11-10 上传
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