ME12P04-VB: P沟道TO252封装高效场效应晶体管特性与规格
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更新于2024-08-03
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ME12P04-VB是一款专为功率应用设计的P沟道TrenchFET型场效应晶体管,采用TO252封装,旨在提供低热阻的解决方案。这款晶体管经过了严格的100% Rg和UIS测试,确保了其性能稳定。
该器件的特点包括:
1. **TrenchFET结构**:采用先进的TrenchFET技术,提供了更高的开关速度和更低的导通电阻,有助于提高电路效率。
2. **低热阻封装**:TO252封装设计,有利于散热,能在高功率条件下保持良好的工作温度。
3. **严格测试**:产品在-40℃至+175℃的宽温范围内进行了参数验证,包括持续和脉冲操作条件下的电流限制,如-50A的连续 Drain-Source电流(ID)和-200A的单脉冲 avalanche电流(IDM)。
4. **电压特性**:在VGS为-10V时,RDS(on)为0.012Ω,而在-4.5V时为0.015Ω,这表明其在不同栅源电压下具有良好的开关性能。
5. **安全限制**:用户需要注意,此型号晶体管的脉冲宽度限制为300μs, duty cycle 不超过2%,且在1英寸方形PCB(FR4材料)上使用时,需遵循包装限制。
6. **电容负载兼容性**:在设计时应考虑单级配置,其S、G、D、P-Channel结构适用于简单的电源管理和控制应用。
7. **最大额定参数**:包括-40V的最大Drain-Source电压(VDS)、±20V的Gate-Source电压(VGS)范围,以及在不同温度下的电流和功率限制。
8. **热管理**:有明确的热阻值,如Junction-to-Ambient的RthJA为50°C/W,Junction-to-Case(Drain)的RthJC为1.1,这些参数对于评估散热设计至关重要。
这款ME12P04-VB场效应管适合在需要高效、小型化和可靠性的电源管理、电机驱动或开关应用中使用,但在实际使用时务必遵循制造商提供的所有注意事项和限制条件。随着产品开发的不断推进,其性能参数还会进行持续优化和验证。
2023-12-15 上传
2023-11-24 上传
2023-06-02 上传
2023-05-30 上传
2023-04-23 上传
2023-06-01 上传
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2023-06-06 上传
2023-06-09 上传
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