AO4485&20-VB：P沟道40V MOSFET在SOP8封装

AO4485&20-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用SOP8封装。这款器件适用于多种应用，包括负载开关和电源线性调节（POL）。它符合无卤素（Halogen-free）标准，根据IEC61249-2-21定义，并且通过了100%的Rg测试和UIS测试，同时满足RoHS指令2002/95/EC的要求。 在电气特性方面，AO4485&20-VB的最大漏源电压（VDS）为-40V，这意味着它可以承受的最大反向电压是40伏。栅源电压（VGS）的额定值为±20V，确保了其在正常工作条件下的稳定性。在25°C时，当VGS = -10V时，典型栅极电荷（Qg）为33nC，而当VGS = -4.5V时，Qg上升至40nC。这个参数直接影响了开关速度和功耗。 该MOSFET在不同温度下的连续漏极电流（ID）有所不同，例如，在25°C时，ID的最大值为-16.1A，而在70°C时，ID下降至-10.2A。此外，脉冲漏极电流（IDM）的最大值为-50A，这允许在短时间内的高电流脉冲操作。连续源漏二极管电流（IS）在25°C下为-5.3A，而在70°C下则降低到-2.1A。 单脉冲雪崩电流（IAS）在L=0.1mH条件下为-28A，表明了器件在过载情况下具有一定的雪崩耐受能力。单脉冲雪崩能量（EAS）的最大值为39mJ，这也反映了其在保护电路免受过电压损害方面的性能。 最大功率耗散（PD）在25°C时为6.3W，而在70°C时降低到4.2W，这意味着在不同温度下，器件能安全处理的最大功率不同。结温（TJ）和储存温度范围（Tstg）从-55°C到150°C，确保了器件在广泛的环境温度下可靠运行。 AO4485&20-VB是一款高性能、环保的P沟道MOSFET，适用于需要高效能、小体积和良好热管理的电路设计，特别是对开关速度和电流控制有较高要求的应用。其电气特性保证了在各种工作条件下的稳定性和可靠性。