英飞凌IPB017N10N5 MOSFET中文规格书：低电阻、高频率开关

"IPB017N10N5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 本文档是英飞凌科技公司（INFINEON）的IPB017N10N5芯片的中文规格书，详细介绍了这款OptiMOS 5系列的N沟道功率MOSFET。该芯片设计适用于高频开关和同步整流应用，具有卓越的性能指标。 IPB017N10N5的主要特点包括： 1. 高频率切换和同步整流的理想选择：这表明该MOSFET在高速开关操作中表现优异，适用于高效能电源转换系统。 2. 出色的栅极电荷与漏源导通电阻乘积（FOM）：低FOM意味着在开关过程中能量损失小，从而提高系统的整体效率。 3. 极低的漏源导通电阻（RDS(on)）：1.7毫欧的最大RDS(on)值意味着在导通状态下，芯片的内阻非常小，可降低功耗。 4. N沟道，正常级别：适合在需要N沟道MOSFET的电路中使用。 5. 100%雪崩测试：确保了芯片在过电压条件下的可靠性。 6. 环保特性：无铅镀层，符合RoHS标准，且不含卤素，符合IEC61249-2-21的无卤素要求。 7. 产品验证：根据JEDEC标准为工业应用进行了全面的资格认证，确保了其在各种环境下的稳定工作。 关键性能参数包括： - 最大漏源电压（VDS）：100V - 最大漏源导通电阻（RDS(on),max）：1.7毫欧 - 连续 Drain 电流（ID）：273A - 总栅极电荷（Qoss）：213纳库仑 - 栅极电荷（QG，0V..10V）：168纳库仑 封装信息： - 型号/订购代码：IPB017N10N5 - 封装类型：PG-TO263-7 - 标记：017N10N5 文档目录包含了描述、最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图表、封装轮廓、修订历史以及商标信息等内容，为设计工程师提供了全面的技术参考资料，便于他们在设计中合理选用和应用这款MOSFET。