2SJ574BP91TL-VB: SOT23 P-Channel 60V MOSFET特性详解与应用指南
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更新于2024-08-03
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本文档详细介绍了VBsemi公司生产的2SJ574BP91TL-VB型号的P-Channel沟道SOT23封装MOSFET晶体管的规格参数及其应用特性。这款器件是一款低阻值、高速度的Trench FET®功率MOSFET,具备以下关键特性和性能:
1. **环保特性**:符合IEC 61249-2-21标准,不含卤素,对RoHS指令(2002/95/EC)兼容。
2. **封装类型**:采用表面安装技术(SMT),在FR4板上安装,便于集成和小型化设计。
3. **沟道结构**:P-Channel设计,适合用于高侧开关应用。
4. **低导通电阻** (RDS(ON)):在VGS=10V时,RDS(ON)为3000mΩ,而在VGS=20V时,由于没有具体数值,可能暗示在此电压下性能更好。
5. **阈值电压** (Vth):典型的阈值电压为-2V,表明开启导通所需的最小栅极电压较低。
6. **快速开关速度**:具有20ns的典型开关时间,适用于需要高效能切换的应用。
7. **输入电容**:低输入电容,典型值为20pF,有助于减少信号传输中的干扰。
8. **功率处理能力**:
- 连续电流限制:在100°C下,最大连续 Drain-Source电流ID为-500mA。
- 脉冲电流限制:最大脉冲 Drain-Source电流IDM为-1500mA,但需注意脉宽限制(PW≤300μs,duty cycle≤2%)。
- 功耗:在100°C下,最大功率损耗PD为460mW,存储温度范围为-55°C至150°C。
9. **热性能**:
- 最大结温到环境温差(RthJA)为350°C/W,表明良好的散热设计。
- 操作和存储温度范围:从-55°C至150°C。
10. **封装信息**:采用SOT-23封装,具有明确的引脚定义,包括源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
此外,文档还提供了服务热线联系方式,以供用户在使用过程中寻求技术支持。这款MOSFET晶体管适用于需要低导通损耗、快速响应和紧凑封装设计的电源管理、电机控制等高效率电路中。在实际应用中,应确保遵循制造商提供的限制条件,特别是脉冲电流测试的限制。
2024-03-26 上传
2024-03-18 上传
2023-07-12 上传
2024-05-27 上传
2023-05-22 上传
2024-07-12 上传
2023-07-13 上传
2024-02-19 上传
2023-03-28 上传
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