2SJ574BP91TL-VB: SOT23 P-Channel 60V MOSFET特性详解与应用指南

本文档详细介绍了VBsemi公司生产的2SJ574BP91TL-VB型号的P-Channel沟道SOT23封装MOSFET晶体管的规格参数及其应用特性。这款器件是一款低阻值、高速度的Trench FET®功率MOSFET，具备以下关键特性和性能： 1. **环保特性**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，对RoHS指令（2002/95/EC）兼容。 2. **封装类型**：采用表面安装技术(SMT)，在FR4板上安装，便于集成和小型化设计。 3. **沟道结构**：P-Channel设计，适合用于高侧开关应用。 4. **低导通电阻** (RDS(ON))：在VGS=10V时，RDS(ON)为3000mΩ，而在VGS=20V时，由于没有具体数值，可能暗示在此电压下性能更好。 5. **阈值电压** (Vth)：典型的阈值电压为-2V，表明开启导通所需的最小栅极电压较低。 6. **快速开关速度**：具有20ns的典型开关时间，适用于需要高效能切换的应用。 7. **输入电容**：低输入电容，典型值为20pF，有助于减少信号传输中的干扰。 8. **功率处理能力**： - 连续电流限制：在100°C下，最大连续 Drain-Source电流ID为-500mA。 - 脉冲电流限制：最大脉冲 Drain-Source电流IDM为-1500mA，但需注意脉宽限制（PW≤300μs，duty cycle≤2%）。 - 功耗：在100°C下，最大功率损耗PD为460mW，存储温度范围为-55°C至150°C。 9. **热性能**： - 最大结温到环境温差（RthJA）为350°C/W，表明良好的散热设计。 - 操作和存储温度范围：从-55°C至150°C。 10. **封装信息**：采用SOT-23封装，具有明确的引脚定义，包括源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。 此外，文档还提供了服务热线联系方式，以供用户在使用过程中寻求技术支持。这款MOSFET晶体管适用于需要低导通损耗、快速响应和紧凑封装设计的电源管理、电机控制等高效率电路中。在实际应用中，应确保遵循制造商提供的限制条件，特别是脉冲电流测试的限制。