英飞凌IPF039N08NF2S MOSFET强效晶体管中文规格概览

"IPF039N08NF2S是INFINEON公司推出的一款强效IRFET（绝缘栅场效应晶体管）2代功率晶体管，该芯片专为广泛的工业应用设计。它采用N沟道，正常级驱动，具有出色的性能参数，如最大集电极-源极电压（VDS）为80V，最大导通电阻（RDS(on)）仅为3.9毫欧姆，允许的最大持续电流ID高达126A。此外，它通过了100%的雪崩测试，符合RoHS环保标准，并且无卤素符合IEC61249-2-21标准。 该器件经过严格的JEDEC标准验证，保证了其在各种条件下的可靠性和稳定性。主要性能指标在表1中列出，包括漏极饱和电荷Qoss为65nC和栅极饱和电荷QG为54nC。封装类型为PG-TO263-7，提供了清晰的标记以便于识别。 产品描述详细介绍了器件的功能、特性、以及使用限制，包括最高工作温度、散热性能、电气特性的测量方法等。电气特性图表位于第6页，便于用户快速查找所需的数据。包装尺寸和外形图在第10页给出，有助于安装和设计布局。此外，规格书还包含了修订历史、商标声明和免责声明等法律相关信息。 IPF039N08NF2S是一款高性能、环保且具有高可靠性的电力开关元件，适用于电机控制、电源转换、高压电路等多个领域，适合那些对电流处理能力、热管理及电磁兼容性有较高要求的工程设计。"