英飞凌IPF014N08NF2S MOSFET芯片中文规格详细解读

"IPF014N08NF2S INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf" 本文档是英飞凌科技公司（INFINEON）的IPF014N08NF2S MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的中文规格书。该芯片是一款N沟道、正常电平的StrongIRFETTM 2功率晶体管，适用于多种应用。以下是其主要特点和关键性能参数： 特点： 1. 优化应用于广泛领域 2. N沟道设计 3. 通过100%雪崩测试，确保高可靠性 4. 采用无铅电镀，符合RoHS标准 5. 符合IEC61249-2-21的无卤素要求 关键性能参数： - 最大漏源电压（VDS）：80V - 最大漏极饱和电阻（RDS(on),max）：1.4毫欧 - 最大额定电流（ID）：282A - 总栅极电荷（Qoss）：199纳库仑 - 总栅极电荷（QG）：170纳库仑 封装信息： - 封装类型：PG-TO263-7 - 标记代码：014N08NS 规格书还包含了其他重要部分，如： 1. 最大额定值：列出了设备在不造成永久损坏时可以承受的最大电气和热应力。 2. 热特性：描述了芯片的散热能力以及在不同条件下的热行为。 3. 电气特性：提供了芯片在不同工作条件下的电压、电流和电阻等参数。 4. 电气特性图：用图形方式展示了这些参数随电压或电流变化的关系。 5. 封装轮廓：详细描绘了封装的物理形状和尺寸，以供设计和安装参考。 6. 修订历史：记录了文档的更新历程。 7. 商标和免责声明：包含了相关商标信息和英飞凌的法律声明。 IPF014N08NF2S MOSFET因其低RDS(on)而适合高效率电源转换、电机驱动和其他需要高效能、低损耗电力开关的应用。这款芯片的设计和测试符合JEDEC标准，确保了质量和一致性。在实际应用中，用户应根据规格书提供的信息来评估和确定该器件是否适合其特定项目需求。