英飞凌IPF017N08NF2S MOSFET芯片中文规格详细解读

"IPF017N08NF2S INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf" 本文档是英飞凌科技公司生产的IPF017N08NF2S MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的中文规格书，该文档详细列出了该器件的主要特性、参数以及相关认证信息。 IPF017N08NF2S是一款N沟道、正常电平的MOSFET，设计用于广泛的应用场景。其主要特点包括： 1. 通过100%雪崩测试，确保了器件在过载条件下的稳定性。 2. 符合无铅（Pb-free）和欧盟RoHS（Restriction of Hazardous Substances）指令，无卤素，符合IEC61249-2-21标准，具有良好的环保性能。 3. 经过JEDEC（联合电子设备工程委员会）标准验证，确保了产品的质量和可靠性。 关键性能参数如下： - 最大漏源电压（VDS）：80V - 最大导通电阻（RDS(on)）：1.7毫欧 - 连续 Drain 电流（ID）：259A - 总栅极电荷（Qoss）：145纳库仑 - 总栅极电荷（QG）：124纳库仑 封装类型为PG-TO263-7，市场代码为017N08NS。规格书中还包含了器件的详细描述、最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图表、封装轮廓以及修订历史等信息，为设计者提供了全面的技术参考。 该MOSFET的引脚配置包括：Drain（漏极）在第4个引脚的平板上，Gate（栅极）在第1个引脚，而Source（源极）分布在第2、3、5、6、7个引脚。这种布局和特性使其适用于高功率转换、电机驱动、电源管理等电力电子领域。 IPF017N08NF2S是一款高性能、环保、可靠的N沟道MOSFET，适用于对开关效率、电流处理能力和热管理有较高要求的电子系统设计。设计工程师在选择或应用此器件时，可以参照此规格书提供的详细数据进行优化设计。