STP120N4F6-VB：TrenchFET N沟道功率MOSFET技术规格

"STP120N4F6-VB是一种N沟道的TrenchFET PowerMOSFET，采用TO220封装。这款器件适用于同步整流和电源供应等应用。其主要特点包括100%的Rg和UIS测试。在不同温度条件下，它具有不同的额定连续漏极电流、脉冲漏极电流和最大功率耗散能力。此外，还提供了热特性数据，如结-壳热阻和结-环境热阻。该产品符合RoHS标准。" STP120N4F6-VB是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。它的主要特点是采用了TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上挖掘精细的沟槽来实现更小的尺寸和更低的导通电阻，从而提高效率并降低功耗。 该MOSFET的电气特性包括： 1. **漏源电压（V\_DS）**：最大值为100V，确保了高耐压能力。 2. **栅源电压（V\_GS）**：无特定限制，但通常操作时建议不超过指定的最大栅极电压，以防止器件损坏。 3. **连续漏极电流（ID）**：在25°C时，最大连续漏极电流为110A，70°C时为31A。这些数值是基于最大结温（TJ）的，随着温度上升，电流承载能力会下降。 4. **脉冲漏极电流（DM）**：最大脉冲漏极电流为270A，表明在短时间内可以承受较高的电流冲击。 5. **雪崩能量（EAS）和Avalanche电流脉冲（IAS）**：设备可承受85A的单脉冲雪崩电流和320V的单脉冲雪崩能量，这在过载或短路保护场景中至关重要。 6. **源漏二极管电流（IS）**：在25°C时，最大连续源漏二极管电流为110A，表明其内置的体二极管也能提供较大的电流处理能力。 7. **最大功率耗散（PD）**：在25°C和70°C时分别为312W和200W，这是根据结温计算得出的。 热性能方面： 1. **结-环境热阻（θ\_JA）**：在稳态下，典型值为32°C/W，最大值为40°C/W，表示每增加1W的功率，结温将升高这个数量的温度。 2. **结-壳热阻（θ\_JC）**：在稳态下，典型值为0.33°C/W，最大值为0.4°C/W，反映了芯片到封装外壳的热传递效率。 此外，STP120N4F6-VB符合RoHS指令，意味着它不含铅和其他有害物质，符合现代电子产品的环保要求。这款MOSFET广泛应用于电源转换系统，如同步整流，以及各种电源供应器，得益于其优秀的电流处理能力和高效的热管理。