NTR4501NT1G MOSFET技术解析与应用指南
"NTR4501NT1G-VB是一款N沟道MOSFET,适用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。该器件采用TrenchFET技术,具有低导通电阻(RDS(ON))和符合RoHS标准的无卤素设计。" NTR4501NT1G是一款由N沟道技术构建的MOSFET,主要特点是其在特定栅极电压下的低导通电阻。在4.5V的栅源电压(VGS)下,RDS(ON)为28mΩ,而在2.5V的VGS下,这个值上升到42mΩ,进一步在1.8V的VGS时为50mΩ。这种低阻特性使得它在需要高效能、低损耗的电路中表现出色,比如在电源管理或开关应用中。 这款MOSFET的额定 Drain-Source 电压(VDS)为20V,可承受的连续漏源电流(ID)在环境温度为25°C时为6A,但随着温度升高,这个值会有所降低。例如,在70°C时,ID降至4A。同时,器件还具备125°C/W的结壳热阻(RθJC),这意味着在稳定状态下,其最大工作温度可以达到125°C。 NTR4501NT1G的设计考虑了功率处理能力,最大连续源漏二极管电流(IS)在25°C时为1.75A,脉冲漏源电流(IDM)高达20A。然而,它的最大功率耗散(PD)受到限制,25°C时为2.1W,而70°C时降至1.3W。因此,正确散热是确保器件长期稳定工作的关键。 该器件的门极-源极电压(VGS)绝对最大值为±12V,且通过100%的栅极电阻测试,确保了可靠性和一致性。此外,NTR4501NT1G符合RoHS指令2002/95/EC,表明它是不含卤素的环保型电子元件。封装形式为SOT-23,适合表面贴装在1"x1"FR4板上。 NTR4501NT1G-VB是一款高效、低阻抗的N沟道MOSFET,适用于需要高效率和小尺寸解决方案的DC/DC转换器和便携设备,其设计考虑了热管理和可靠性,以满足现代电子产品的严格要求。
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