Hynix HY62UF16404C: 256Kx16bit SuperLowPower FCMOS SRAM规格说明书

"Hynix HY62UF16404C是一款256Kx16位的超低功耗FCMOS慢速SRAM，工作电压为2.7~3.3V，具有高速度和低功耗特性。此文档为产品一般性描述，可能会在不通知的情况下进行更改。Hynix Electronics不对所描述的电路使用负任何责任，并且未暗示任何专利许可。" 本文档详细介绍了Hynix Semiconductor的HY62UF16404C系列SRAM芯片。这款256Kx16位的存储器是基于全CMOS工艺技术设计的，拥有4Mbit的存储容量，被组织成256K个16位字。其设计目标是高速度和超低功耗，适用于高密度应用，如嵌入式系统、移动设备和各种需要高效能和低能耗存储解决方案的领域。 HY62UF16404C的关键特性包括： 1. **高速度**：这款SRAM能够提供快速的数据访问速度，虽然具体速度在文档中没有明确给出，但通过修订历史中的"85ns Part Delete"可以推断，它至少比85ns更快。 2. **超低功耗**：该芯片设计用于低功耗操作，适合电池供电或对能耗敏感的设备。文档中提到的"tBLZ value is changed (10ns -> 5ns at 70ns Speed)"表明其在70ns速度等级下，预充电时间（tBLZ）从10ns减少到5ns，这通常与降低功耗有关。 3. **性能参数调整**：文档记录了多次修订，包括对tBLZ/tOLZ值、Icc1值、输出负载定义、Isb, Isb1, Vdr, Iccdr等参数的修改，这些参数直接影响芯片的电气特性和运行效率。 4. **标记信息更新**：从修订历史来看，还有关于标记信息的添加和修改，这可能涉及到产品的物理标识和识别信息。 5. **电源电压范围**：芯片工作在2.7~3.3V的电压范围内，这确保了在不同电源条件下的稳定工作。 HY62UF16404C是一款高性能、低功耗的全CMOS SRAM，适用于需要高速数据存取和节能特性的系统设计。由于其超低功耗特性，它特别适合于嵌入式系统、手持设备和其他对电源效率有严格要求的应用。用户在设计时应参考最新的数据手册，以获取最准确的电气特性和使用指南。