代码保护期间闪存程序存储器操作详解

在"代码保护期间闪存程序存储器的操作-点云预处理"这篇文章中，主要讨论了针对PIC18F45K系列单片机，特别是采用了nanoWattXLP技术和ECAN™的28/40/44/64引脚增强型闪存单片机DS39977C_CN的数据手册中的编程技术。文章详细解释了在执行代码保护操作时，如何对闪存程序存储器进行管理。 首先，当需要访问闪存程序存储器时，程序需要按照特定序列进行。这包括设置EECON1寄存器的位，如置位EEPGD以指向Flash程序存储器，清除CFGS位以允许访问，然后置位WREN以启用写入权限。在操作前，还需要禁用中断（BCF INTCON, GIE），以防止中断中断代码流程。接下来，通过写入特定的字节（如55h和0AAh）来启动程序，并在写入完成后重新启用中断。 表格列举了与闪存程序存储器相关的寄存器，例如PROGRAM_MEMORY寄存器，以及INTCON和EECON2寄存器的各个位的功能。INTCON寄存器中的GIE位控制全局中断，而EECON1寄存器则包含了程序存储器的控制选项，如WR（写入）和WREN（写入允许）等。在操作过程中，需要注意某些位的状态，如TBLPTRU的bit 21，它允许访问器件配置位。 此外，文章还提到了版权信息，警告读者中文版仅供参考，原文档中的英文部分包含重要的产品性能和使用细节，应以英文原版为准。Microchip Technology Inc.强调，提供的信息仅供参考，不承担因使用信息导致的任何责任，并在某些特定情况下，如生命维持和生命安全应用，用户需自行承担全部风险。 本文是针对特定系列单片机的编程指南，旨在确保正确、安全地在代码保护模式下操作闪存程序存储器，这对于嵌入式系统开发者来说是一项关键技能。理解并遵循这些步骤和注意事项，能够有效地保护代码免受未经授权的修改，同时确保系统的稳定运行。