"UT2301G-AE3-R-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用小型SOT23封装,适用于需要低电阻和高效能的电子设备。这款MOSFET的主要特性包括其20V的最大漏源电压(VDS)和在不同栅极电压下的低导通电阻(RDS(on))以及小尺寸的封装设计。"
UT2301G-AE3-R-VB是一款P沟道MOSFET,其设计用于处理低电压和电流应用。该器件的关键规格如下:
1. **漏源电压 (VDS)**: -20V,表示在正常工作条件下,场效应管可以从漏极到源极承受的最大电压。这确保了在各种电路配置中,器件不会因为电压过高而损坏。
2. **导通电阻 (RDS(on))**: RDS(on)是衡量MOSFET在开启状态下,源极到漏极之间的电阻。在不同的栅极电压下,RDS(on)的值有所不同,如在VGS=-10V时,RDS(on)为0.035Ω,而在VGS=-4.5V时,其值上升到0.043Ω,进一步增加到VGS=-2.5V时,RDS(on)为0.061Ω。较低的RDS(on)意味着更低的电压降和更高的效率。
3. **栅极电荷 (Qg)**: Qg 是在开启MOSFET时,需要通过栅极注入的电荷量。在这个例子中,Qg典型值为10nC,这个参数影响开关速度和功耗。
4. **封装**: UT2301G-AE3-R-VB采用TO-236或SOT23封装,这是一种紧凑的表面贴装封装,适合空间有限的应用。
5. **最大连续漏极电流 (ID)**: 在不同的温度和栅极电压下,ID的最大值不同。例如,在TC=25°C时,ID的最大值为-5eA;当TA=70°C时,ID的最大值减小到-3.5eA。这表明随着温度升高,器件的电流承载能力会降低。
6. **脉冲漏极电流 (IDM)**: IDM允许的脉冲电流峰值,最大值为-18A,这使得该器件适合短时间高电流的脉冲应用。
7. **源漏二极管电流 (IS)**: 这款MOSFET内部包含一个体二极管,允许反向电流流过。在特定温度下,IS的最大值为-2.1A。
8. **最大功率损耗 (PD)**: PD的最大值取决于环境温度,如在TC=25°C时,PD的最大值为2.5W,但随着温度升高,此值会下降。
9. **热特性**: 包括最大结壳热阻RthJA和RthJF,它们分别表示器件从内部到环境和从漏极到封装底部的热阻力。较低的热阻意味着更好的散热性能。
10. **工作和存储温度范围**:器件可在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作和储存。
此外,UT2301G-AE3-R-VB符合IEC61249-2-21标准,这意味着它是无卤素的,对环境友好,适合对环保有要求的应用。
UT2301G-AE3-R-VB是一款适用于需要小巧、低电阻和良好热性能的电子产品的P沟道MOSFET,特别适合在电源管理、信号切换和负载开关等应用中使用。