STN2NF10-VB：高性能N沟道SOT223封装MOSFET

"STN2NF10-VB是一款N沟道的TrenchFET功率MOSFET，采用SOT223封装，符合RoHS指令，并且是无卤素设计。这款MOSFET的最大结温为175°C，适用于需要高耐热性的应用。其关键特性包括低导通电阻（RDS(on)）和良好的热性能。在VGS=10V时，RDS(on)为0.100Ω，在VGS=4.5V时，RDS(on)为0.120Ω。产品可承受的最大Drain-Source电压（VDS）为100V，而最大连续 Drain电流（ID）在TJ=175°C时为5.0A，70°C时为3.5A。此外，MOSFET还具有脉冲Drain电流（DM）25A和雪崩电流（AS）15A的能力，以及单脉冲雪崩能量（ES）11mJ的耐受值。其最大功率耗散在25°C和70°C时分别为3.3W和2.3W。该器件的热性能包括结到壳的热阻（RthJF）17至20°C/W，以及结到环境的热阻（RthJA）在稳态下为36至45°C/W。" STN2NF10-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道MOSFET，主要特点是采用了TrenchFET技术，这种技术通过在晶体管的沟道区域挖掘精细的沟槽，实现了更小的尺寸和更低的电阻，从而降低了开关损耗并提高了效率。其SOT223封装设计意味着它适合表面贴装在电路板上，适用于空间有限的应用场景。 该器件满足RoHS指令，意味着它不含铅和其他有害物质，符合环保要求。此外，它还符合IEC61249-2-21标准的无卤素定义，这有助于降低对环境的影响。 在电气特性方面，STN2NF10-VB的最大栅极-源极电压（VGS）为±20V，这为驱动电路提供了较大的工作范围。其连续Drain电流随温度变化，ID在25°C时为5.0A，在70°C时下降到3.0A。此外，MOSFET还具备一定的雪崩能力，允许在安全范围内进行过载操作。 热性能是评价功率器件性能的关键指标之一。STN2NF10-VB的热阻RthJA和RthJF表明，它能够有效地散发热量，确保器件在高温环境下仍能稳定工作。较高的热阻可能会影响器件的长期可靠性，但STN2NF10-VB的数值在合理范围内，能保证在25°C至70°C的温度下保持良好的散热性能。 STN2NF10-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高效、低阻抗和良好热管理的电源管理、开关和驱动应用。其特性使其在高电压、大电流的环境中表现出色，同时满足了环保和安全的标准。