STN2NF10-VB:高性能N沟道SOT223封装MOSFET
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更新于2024-08-03
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"STN2NF10-VB是一款N沟道的TrenchFET功率MOSFET,采用SOT223封装,符合RoHS指令,并且是无卤素设计。这款MOSFET的最大结温为175°C,适用于需要高耐热性的应用。其关键特性包括低导通电阻(RDS(on))和良好的热性能。在VGS=10V时,RDS(on)为0.100Ω,在VGS=4.5V时,RDS(on)为0.120Ω。产品可承受的最大Drain-Source电压(VDS)为100V,而最大连续 Drain电流(ID)在TJ=175°C时为5.0A,70°C时为3.5A。此外,MOSFET还具有脉冲Drain电流(DM)25A和雪崩电流(AS)15A的能力,以及单脉冲雪崩能量(ES)11mJ的耐受值。其最大功率耗散在25°C和70°C时分别为3.3W和2.3W。该器件的热性能包括结到壳的热阻(RthJF)17至20°C/W,以及结到环境的热阻(RthJA)在稳态下为36至45°C/W。"
STN2NF10-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道MOSFET,主要特点是采用了TrenchFET技术,这种技术通过在晶体管的沟道区域挖掘精细的沟槽,实现了更小的尺寸和更低的电阻,从而降低了开关损耗并提高了效率。其SOT223封装设计意味着它适合表面贴装在电路板上,适用于空间有限的应用场景。
该器件满足RoHS指令,意味着它不含铅和其他有害物质,符合环保要求。此外,它还符合IEC61249-2-21标准的无卤素定义,这有助于降低对环境的影响。
在电气特性方面,STN2NF10-VB的最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,这为驱动电路提供了较大的工作范围。其连续Drain电流随温度变化,ID在25°C时为5.0A,在70°C时下降到3.0A。此外,MOSFET还具备一定的雪崩能力,允许在安全范围内进行过载操作。
热性能是评价功率器件性能的关键指标之一。STN2NF10-VB的热阻RthJA和RthJF表明,它能够有效地散发热量,确保器件在高温环境下仍能稳定工作。较高的热阻可能会影响器件的长期可靠性,但STN2NF10-VB的数值在合理范围内,能保证在25°C至70°C的温度下保持良好的散热性能。
STN2NF10-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于需要高效、低阻抗和良好热管理的电源管理、开关和驱动应用。其特性使其在高电压、大电流的环境中表现出色,同时满足了环保和安全的标准。
2023-12-26 上传
2023-12-25 上传
2023-03-28 上传
2023-09-19 上传
2023-07-11 上传
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2023-07-27 上传
2024-08-01 上传
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