SI9410BDY-T1-E3-VB: 30V N沟道SOP8封装高效MOSFET

SI9410BDY-T1-E3-VB是一款高性能的N沟道SOP8封装MOSFET，它具有以下关键特性： 1. **环保设计**：该MOSFET采用无卤素材料制造，符合现代电子设备对环保的要求。 2. **TrenchFET技术**：采用了先进的TrenchFET® PowerMOSFET结构，这有助于提高开关速度、减少功率损耗，并增强散热性能。 3. **优化的高边同步整流器应用**：该器件特别针对高侧同步整流器操作进行了优化，适用于笔记本CPU核心等需要高效能电源管理的场合。 4. **严格的测试标准**：100% Rg和UISTest保证了元件的一致性和可靠性，分别对应热阻测试和输入浪涌电流测试。 5. **电气参数**： - 集成参数如VDS（最大 Drain-Source电压）为30V，VGS（最大 Gate-Source电压）范围为±20V。 - ID（连续导通电流）在25°C下可达到13A，随着温度上升略有调整。 - IDM（脉冲导通电流）高达45A，IS（连续源-漏二极管电流）在25°C时为3.7A。 - IAS（单脉冲雪崩电流）在0.1mH电感下的极限为20A，EAS（雪崩能量）为21mJ。 - 最大功率损耗在不同温度条件下也有所限制，例如在25°C时为4.1W。 6. **温度控制**：工作结温TJ范围为-55°C到+150°C，存储温度Tstg同样宽泛，确保在各种环境条件下稳定运行。 7. **封装形式**：采用紧凑的SO-8封装，有利于小型化设计，节省空间。 8. **顶部视图和引脚排列**：提供的图形展示了MOSFET的引脚配置，包括G（栅极）、D（漏极）、S（源极）等。 SI9410BDY-T1-E3-VB是一款适用于高性能电子应用的高性能N沟道MOSFET，其设计特点、电气性能和温度适应性使其成为现代电子设计的理想选择。在考虑集成到系统时，务必注意其规格和工作条件限制，以确保系统的稳定性和效率。