SOT23封装P-Channel场效应MOS管AM3401E3VR-VB的特性和应用

AM3401E3VR-VB P-Channel 场效应 MOS 管知识点 **概述** AM3401E3VR-VB 是一款 SOT23 封装 P-Channel 场效应 MOS 管，具有低 RDS(on) 和高切换速度，适用于移动计算、负载开关、笔记本电脑适配器开关和 DC/DC 转换器等应用。 **特点** * TrenchFET® PowerMOSFET 结构 * 100% Rg 测试 * P-Channel 场效应 MOS 管，具有 -30V 的漏源电压和 -5.6A 的连续漏电流 * RDS(on) = 47mΩ @ VGS = 10V，VGS = 20V * Vth = -1V **应用** * 移动计算 * 负载开关 * 笔记本电脑适配器开关 * DC/DC 转换器 **参数** * 漏源电压 (VDS)：-30V * 闸源电压 (VGS)：±20V * 连续漏电流 (ID)：-5.6A * 脉冲漏电流 (IDM)：-18A *-source 电流 (IS)：-2.1A * 最大功率耗散 (PD)：2.5W * 工作结温 (TJ)：-55°C to 150°C **热阻参数** *结温阻 (RθJA)：166°C/W *结温阻 (RθJC)：不提供 **封装** * SOT23 封装 * TO-236 封装 **使用注意** * 在使用 AM3401E3VR-VB 时，需要注意工作电压、电流和温度等参数，以免超出极限值。 * 在设计电路时，需要考虑 MOS 管的热阻和散热问题，以免影响其性能和可靠性。 **结论** AM3401E3VR-VB 是一款高性能的 P-Channel 场效应 MOS 管，具有低 RDS(on) 和高切换速度，适用于移动计算、负载开关、笔记本电脑适配器开关和 DC/DC 转换器等应用。用户需要根据实际情况选择合适的 MOS 管，并正确地设计和使用电路，以确保 MOS 管的可靠性和性能。