SOT23封装P-Channel场效应MOS管AM3401E3VR-VB的特性和应用
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更新于2024-08-03
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AM3401E3VR-VB P-Channel 场效应 MOS 管知识点
**概述**
AM3401E3VR-VB 是一款 SOT23 封装 P-Channel 场效应 MOS 管,具有低 RDS(on) 和高切换速度,适用于移动计算、负载开关、笔记本电脑适配器开关和 DC/DC 转换器等应用。
**特点**
* TrenchFET® PowerMOSFET 结构
* 100% Rg 测试
* P-Channel 场效应 MOS 管,具有 -30V 的漏源电压和 -5.6A 的连续漏电流
* RDS(on) = 47mΩ @ VGS = 10V,VGS = 20V
* Vth = -1V
**应用**
* 移动计算
* 负载开关
* 笔记本电脑适配器开关
* DC/DC 转换器
**参数**
* 漏源电压 (VDS):-30V
* 闸源电压 (VGS):±20V
* 连续漏电流 (ID):-5.6A
* 脉冲漏电流 (IDM):-18A
*-source 电流 (IS):-2.1A
* 最大功率耗散 (PD):2.5W
* 工作结温 (TJ):-55°C to 150°C
**热阻参数**
*结温阻 (RθJA):166°C/W
*结温阻 (RθJC):不提供
**封装**
* SOT23 封装
* TO-236 封装
**使用注意**
* 在使用 AM3401E3VR-VB 时,需要注意工作电压、电流和温度等参数,以免超出极限值。
* 在设计电路时,需要考虑 MOS 管的热阻和散热问题,以免影响其性能和可靠性。
**结论**
AM3401E3VR-VB 是一款高性能的 P-Channel 场效应 MOS 管,具有低 RDS(on) 和高切换速度,适用于移动计算、负载开关、笔记本电脑适配器开关和 DC/DC 转换器等应用。用户需要根据实际情况选择合适的 MOS 管,并正确地设计和使用电路,以确保 MOS 管的可靠性和性能。
2024-04-07 上传
2024-04-07 上传
2023-05-03 上传
2023-07-27 上传
2023-05-03 上传
2023-08-23 上传
2024-07-12 上传
2023-07-27 上传
2023-04-01 上传
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