2SK3147S-VB: 100V N沟道TO252封装高性能MOS管

2SK3147S-VB是一款专为高压应用设计的N沟道TrenchFET型功率MOSFET，它采用TO252封装，具有高性能和可靠性。这款器件的主要特性包括： 1. **结构与技术**: 它是TrenchFET技术的产物，这使得它在功率密度和效率方面有显著提升。TrenchFET的设计有助于降低栅极电荷，从而加快开关速度并减小损耗。 2. **耐温性**: - **结温极限**: 能承受高达175°C的工作温度，确保在高温环境下仍能稳定运行。 - **储存温度范围**: 从-55°C到175°C，适应宽广的应用环境。 3. **电气参数**: - **最大电压**: - Drain-Source Voltage (VDS): 100V，确保在电源电压方面有足够的隔离。 - Gate-Source Voltage (VGS): ±20V，允许灵活的控制信号范围。 - **电流能力**: - Continuous Drain Current (ID) 在室温和125°C下可达13A和3A，分别在长时间和短时间脉冲下。 - Pulsed Drain Current (IDM) 达40A，适合短暂大电流需求。 - Avalanche Current (IAS) 和 Single Pulse Avalanche Energy (EAS) 提供了过电压保护能力。 4. **安全限制**: - 最大功率损耗 (PD) 在25°C下为96W，并考虑了瞬态条件下的限制（如脉冲峰值）。 - 耐压等级满足RoHS指令2002/95/EC的要求。 5. **散热性能**: - Junction-to-Ambient thermal resistance (RthJA) 和 Junction-to-Case thermal resistance (RthJC) 提供了热管理的数据，帮助用户了解设备在不同条件下的散热情况。 6. **安装和应用**: - 表面安装于1"x1" FR4板上，适用于初级侧开关等高功率应用。 - 需要注意的是，实际工作时应参考SOA曲线来确定电压降和负载条件。 2SK3147S-VB凭借其出色的性能、广泛的温度范围和合规性，成为电子工程师在设计需要高效能和耐高温的开关或电源解决方案时的理想选择。在选择和使用该器件时，务必考虑其额定值和工作条件，并确保适当的散热设计。