英飞凌INFINEON 800V CoolMOS P7 MOSFET技术手册：卓越性能与创新易用性

IPP80R1K2P7是英飞凌（INFINEON）推出的一款800V CoolMOS P7系列功率晶体管，其规格书于2018年2月8日更新至Rev. 2.1。这款器件是一款革命性的超结技术产品，集业界领先的性能与创新的易用性于一体，源自Infineon超过18年的超结技术领先地位。 该MOSFET的主要特性包括： 1. **卓越的特征导通电阻（FOM RDS(on)**): 通过优化设计，实现了极低的RDS(on)值，同时降低了Qg、Ciss和Coss参数，有助于提高转换效率和电路稳定性。 2. **业界最佳的DPAK RDS(on)**: DPAK封装设计降低了器件的体积，有利于小型化和高密度设计，同时保持了高性能。 3. **极低的栅极电压阈值（V(GS)th）**: 仅为3V，且栅极电压阈值变化极小，仅为±0.5V，这有助于减少开关损耗并提高开关速度。 4. **集成Zener Diode ESD保护**：内置的保护机制有助于防止静电放电造成的损坏，提高了设备的可靠性和安全性。 5. **符合工业应用的全面认证**：严格按照JEDEC标准进行测试和验证，确保在严苛条件下也能稳定工作。 6. **优化的系列产品**：提供完整的产品组合，便于设计师根据具体需求进行选择和应用。 使用IPP80R1K2P7的优势主要体现在以下几个方面： - **卓越性能**：由于其出色的特性，可以支持更高功率密度的设计，降低物料清单成本，并减少组装过程中的问题。 - **易于驱动和并联**：设计时易于控制和多器件串联，提升系统整体效能。 - **提升生产效率**：减少因ESD相关故障导致的生产废品，降低返修率，节省生产成本。 - **简化选型**：由于丰富的可选型号，设计师可以根据项目需求轻松调整器件参数，实现精确匹配。 IPP80R1K2P7是英飞凌针对工业级应用开发的一款高性能、易用性强且具有出色可靠性的800V MOSFET，对于需要高电压、高效率和低成本设计的工程师来说，它是一个理想的选择。