MDS9754URH-VB-MOSFET：30V耐压、高效率沟道MOSFET特性与应用解析

MDS9754URH-VB-MOSFET是一款专门设计用于电机驱动的高性能沟道型功率MOSFET，它采用Trench FET技术，具备环保特性，符合IEC 61249-2-21和RoHS指令2002/95/EC标准。这款器件具有显著的耐高温性能，适合在严苛的工业环境下工作。 该MOSFET支持N+P双极性通道，N-Channel版本的额定电压为30V，当栅源电压VGS达到10V时，其典型漏源电阻RDS(on)为15mΩ，而当VGS降低到4.5V时，RDS(on)增加至50mΩ。对于P-Channel，最大导通电压为-30V，-10V时的RDS(on)约为0.032Ω，随着VGS的负向增加，电阻值也随之增大。 MOSFET的电流能力也很强大，N-Channel在持续工作条件下的电流极限为8A（在25°C时），而P-Channel的相应数值为-8A。在短脉冲操作下，如10μs脉宽，允许的最大峰值电流分别为40A和-40A。此外，该器件还具有一定的安全裕度，例如，N-Channel在25°C下，最大功耗为120°C/W，而P-Channel为110°C/W。 值得注意的是，MDS9754URH-VB-MOSFET采用SOP8封装，方便表面安装在1英寸x1英寸的FR4板上，且在热时间常数t=10s的情况下进行测试。在温度和时间限制下，其开关特性有所下降，但依然能满足电机驱动应用的需求。 产品规格表中包括了绝对最大额定值，如在25°C下，N-Channel的漏电流Qg典型值为0.008A，而P-Channel的相应值为0.034A。此外，MOSFET还具有保护性的源-漏电流二极管，用于防止反向击穿。 MDS9754URH-VB-MOSFET是一款高效、耐压、符合国际标准的电机驱动专用功率MOSFET，适用于对电流密度和热稳定性有高要求的应用场合，如电动车、工业自动化设备等。