SAMSUNG K6R1008C1B: 128Kx8Bit 高速静态RAM技术规格

"SAMSUNG K6R1008C1B-.pdf 是一份关于SAMSUNG公司生产的K6R1008C1B系列CMOS静态随机存取存储器（SRAM）的初步数据手册。该芯片是128Kx8位高速SRAM，适用于5V操作，并具有创新的引脚布局。它可以工作在商业和工业温度范围内。" 该文档主要涵盖了以下几个关键知识点： 1. **产品型号**：文档中提到了两个特定型号——K6R1008C1B-C和K6R1008C1B-I，这些可能是不同版本或变体的SRAM芯片。 2. **CMOS SRAM**：K6R1008C1B是一款采用互补金属氧化物半导体（CMOS）技术制造的静态随机存取存储器。CMOS技术以其低功耗和高集成度特性而广泛应用于各种电子设备。 3. **128Kx8位**：这意味着每个芯片提供了128K（即131,072个）8位存储单元，总共可提供1M位（1,048,576位）的存储容量。 4. **高速**：K6R1008C1B系列设计为高速SRAM，意味着它能在比标准SRAM更快的速度下读写数据，适合需要快速数据访问的应用。 5. **5V操作**：这款SRAM芯片能够在5伏特的电压下正常工作，这是许多早期和一些现代电子设备的标准电源电压。 6. **工作温度范围**：该芯片可在商业和工业温度范围内运行，表明其具有较宽的工作环境适应性，可能涵盖从室温到更严苛的工业环境温度。 7. **修订历史**：文档的修订历史显示了产品开发的迭代过程，从Rev.0.0的初步设计目标，到Rev.1.0的预发布，最后到Rev.2.0的最终数据手册，期间删除了一些不适用的包封装、版本和特性。 8. **测试环境**：在Rev.2.0中，添加了测试环境的电容负载信息，这有助于用户理解在特定条件下芯片的性能表现。 9. **直流特性**：文档中还提到了直流特性发生了变化，这可能涉及到芯片的读写速度、电源电压容忍度等关键性能指标。 10. **技术支持**：SAMSUNG公司承诺对产品的参数进行评估和反馈，用户可以通过联系SAMSUNG的分支办公室或总部获取技术支持和解答疑问。 这份文档详细介绍了SAMSUNG K6R1008C1B系列SRAM芯片的技术规格、性能特点和使用注意事项，是设计和应用这款存储器时的重要参考材料。