理解静态随机存储器RAM：实验操作与原理解析

"该文档是关于计算机原理实验的第二部分，专注于静态随机存储器（Static Random Access Memory, SRAM）的实践操作。实验旨在让学生掌握SRAM的工作特性以及数据的读写方法。实验中使用的设备包括PC机和TD-CMA实验系统。实验原理涉及到6116型SRAM芯片，其地址线和数据线分别连接到实验系统的地址总线和数据总线，通过LED灯显示当前状态。实验步骤包括正确连接电路、设置实验单元、写入数据到特定地址等。" 在本次计算机原理实验二中，主要关注的是静态随机存储器（SRAM）的实践操作。SRAM是一种非易失性内存，它能够快速访问存储在其内的数据，且数据在电源关闭后仍能保持。实验目的清晰明确，就是要让学生熟悉SRAM的工作模式，理解数据如何被读取和写入。 实验设备包括了一台PC机和一套TD-CMA实验系统，这为学生提供了模拟真实硬件环境的平台。实验原理图展示了数据和地址如何通过数据总线和地址总线传输，其中8个LED灯用于显示数据线D7到D0以及地址线A7到A0的内容。6116 SRAM芯片的地址线A7到A0由8位地址寄存器提供，而A10到A8接地，因此有效存储容量为256字节。 实验步骤详尽，首先需要关闭电源并正确连接实验电路，确保没有接线错误。接着，设置时序与操作台单元的相关开关，以模拟必要的控制信号。在实验过程中，要特别注意防止总线竞争，一旦出现错误声音，必须立即检查并纠正接线。在写入数据时，要遵循特定的时序，先写入地址，再写入数据，这涉及到对WR、RD、IOR、LDAR等控制信号的精确控制。 具体来说，写入数据的过程分为两步：首先，关闭读写功能，通过数据开关输出地址，并打开地址寄存器的门控信号，使地址进入地址寄存器；随后，关闭地址寄存器门控信号，输出要写入的数据，开启输入三态门，将存储器设置为写模式，然后通过ST触发T3脉冲以完成写操作。 通过这个实验，学生不仅能够理论联系实际，理解SRAM的工作原理，还能提升动手能力和问题解决能力，为后续更深入的计算机系统学习打下坚实基础。