如上图所示,展示了从 1978 年到 2012 年这数十年间各种类型的处理器性能随
时间的变化情况,可以看到基本上在这一段时间处理器的性能一直保持了高速的增
长,这与以摩尔定律为基础的晶体管发展是脱不开干系的。
正是因为有了摩尔定律,使得芯片制造商有意按照摩尔定律的轨迹发展,这使
得软件开发商既能挑战现有的芯片处理能力,又能让芯片制造商有时间开发下一代
芯片,造成了一种良性循环。从 20 世纪 90 年代以来,芯片行业每两年就会发布一
份行业研发规划,协调全球芯片制造商、设备供应商按摩尔定律研发,这份研发规
划也使芯片行业按着摩尔定律按部就班地发展,影响了芯片行业的数十年发展。
3. 摩尔定律的发展现状
3.1 基于摩尔定律的芯片制作工艺
随着摩尔定律的不断向前发展, 芯片的集成度不断提高,晶圆上晶体管数目
不断增大,电学性能不断提高。20 世纪 60 年代,MOS 晶体管的柵极由十几微米
的长度缩小到几微米;80 年代,又从几微米缩小到一微米左右;到 90 年代,则
从亚微米进入到纳米量级。半个世纪以来,传统硅 CMOS 技术以其低功耗、高可靠
性等优势在集成电路领域发挥着不可或缺的作用。等比例缩小原则仍是超大规模集
成电路继续向前 进步的基础。随着微电子技术的深入发展和对超低功耗芯片的迫
切需求,器件特 征尺寸进一步缩小,高集成度和复杂度仍然是未来集成电路发展
的趋势
[1]
。
在面向摩尔定律的设计中,制造商需要通过不断地提高芯片上晶体管的密度来
实现更高的计算能力和效率,这可以通过使用更小的晶体管和更先进的制造技术来
实现。目前,芯片制造业最先进的工艺是 5 纳米工艺。在这种工艺下,芯片上的晶
体管可以达到非常高的密度,从而实现更高的计算能力和效率。除了 5 纳米工艺,
目前市场上常用的芯片制造工艺还包括 7 纳米工艺、10 纳米工艺和 14 纳米工艺等。
这些工艺的晶体管密度逐渐增加,计算能力也得到了不断提升。同时,随着技术的
不断进步,芯片制造工艺还在不断地向更小的尺寸发展,例如,台积电已经在研究
3 纳米工艺。下图展示了随着芯片产业开发工艺的提升其相应的研发经费的需求情
况。
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