Hynix HY62SF16101C: 64Kx16bit 1.8V Super Low Power Full CMOS SRA...

"HYNIX-HY62SF16101C.pdf" 是一份关于Hynix Semiconductor公司生产的HY62SF16101C系列64Kx16位1.8V超低功耗全CMOS慢速SRAM的详细产品描述文档。 正文： 该文档提供的是HY62SF16101C芯片的全面介绍，此芯片是一款基于高性能全CMOS工艺技术设计的高速、超低功耗1Mbit（1,048,576位）静态随机存取存储器（SRAM），组织结构为65,536个16位字。它特别适用于高密度、低功耗系统应用。 主要特性包括： 1. **完全静态操作**：这意味着该SRAM在没有时钟信号的情况下也能保持数据，无需刷新，提高了系统的稳定性和可靠性。 2. **三态输出**：三态输出允许在总线上同时有多个设备，通过控制门电路来切换输出的使能状态，使得数据只在需要时才传输，有效降低了系统功耗和电磁干扰。 3. **1.8V超低功耗**：HY62SF16101C工作电压仅为1.8V，显著减少了运行时的功率消耗，适应了现代电子设备对低功耗的需求。 4. **数据保留模式**：即使在电源电压降低至1.2V的最低限度时，该器件仍能保证数据的完整性，这是其在低电源电压环境下的一个重要优势。 5. **TTL兼容性**：这款SRAM设计与标准TTL逻辑电平兼容，可以方便地与其他使用TTL标准的电路集成。 文档修订历史： - Rev.03于2000年12月16日发布，主要修改了输出负载的分配，添加了标记信息。 - Rev.04于2002年3月24日最终确定，主要变更了交流特性部分，特别是关于-tBLZ的参数。 这些特性使得HY62SF16101C成为需要高速读写、低功耗和数据稳定性的重要应用的理想选择，例如移动设备、嵌入式系统和各种需要高效能、低能耗存储解决方案的电子产品。由于Hynix Semiconductor不承担使用中电路设计的责任，用户在使用前应详细阅读并理解文档，确保正确和安全的集成到自己的电路设计中。