LT1534FJ-Z-V4.0:LEADTECK领泰一级代理KOYUELEC光与电子提供MOSFET替代方案
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更新于2024-08-05
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"LEADTECK领泰是一家专注于电子组件的公司,其一级代理商KOYUELEC光与电子提供了一款替代产品LT1534FJ-Z-V4.0,用于替换LTD1534MFJ。该产品是一款N-Channel增强模式功率MOSFET,适用于同步整流、高密度DC/DC转换器、同步降压转换器以及负载开关等应用。"
详细说明:
LT1534FJ-Z-V4.0是一款由LEADTECK领泰设计制造的高性能N-Channel MOSFET,适用于各种电源管理应用。这款MOSFET的主要特点是其高电流处理能力和低导通电阻,这使得它在高效能电源转换系统中表现出色。KOYUELEC光与电子作为LEADTECK的一级代理商,确保了产品的质量和供应。
该器件的关键参数包括:
1. **Drain-Source电压(VDSS)**:最大额定值为30V,这意味着MOSFET可以在不超过30V的电压下安全工作。
2. **Gate-Source电压(VGSS)**:允许的正负最大电压为±20V,这是控制MOSFET导通和截止的电压范围。
3. **Drain电流(ID)**:在不同温度下,连续工作时的最大电流有所不同。在25°C时,最大ID为154A;在70°C时,ID仍可达到123A。
4. **脉冲Drain电流(IDM)**:瞬态最大脉冲电流可达550A,这在短时间大电流需求的应用中非常有用。
5. **功耗(PD)**:在25°C时,最大功耗为83W,这表明了MOSFET在工作时能承受的热量。
6. **热性能**:包括最大结-壳热阻(RthJC)为1.5°C/W和最大结-环境热阻(RthJA)为20°C/W,这些数值决定了器件在散热条件下的稳定工作能力。
此外,LT1534FJ-Z-V4.0还具备以下特点:
- **低导通电阻**:在VGS=10V时,典型RDS(ON)为1.7mΩ,而在VGS=4.5V时,典型RDS(ON)为2.0mΩ,这有助于降低在导通状态下的功率损耗,提高效率。
- **应用广泛**:适合同步整流,用于提升直流电源效率;在高功率密度的DC/DC转换器中,它能有效减少热损耗;同步降压转换器利用其快速开关特性实现精确电压调节;同时,也适用于大电流负载的开关操作。
最后,LT1534FJ-Z-V4.0采用DFN5*6-8L封装,这种小型化封装有助于节省电路板空间,增加设计灵活性。电气特性在25°C环境下测试,包括阈值电压、输入电容、栅极电荷等,这些特性对于理解MOSFET在实际电路中的行为至关重要。
总结,LT1534FJ-Z-V4.0是一款高性能、低导通电阻的N沟道MOSFET,适用于对效率和功率密度有高要求的电源管理应用,而KOYUELEC光与电子作为其一级代理商,提供了可靠的供应链支持。
2023-08-18 上传
2024-09-10 上传
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2024-09-10 上传
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