领泰LT LTD1534MFJ-V4.1 MOSFET技术规格

"LEADTECK领泰LT一级代理商KOYUELEC光与电子提供LTD1534MFJ-V4.1.pdf" 文件详细介绍了由LEADTECK领泰生产的一款N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET，型号为LTD1534MFJ。这款MOSFET由KOYUELEC光与电子作为一级代理商进行销售。 LTD1534MFJ是一款高功率密度的MOSFET，适用于同步整流、直流/直流转换器、同步降压转换器和负载切换等应用。它具有出色的电气特性，旨在提高电源效率和系统性能。 在电气参数方面，LTD1534MFJ的最大漏源电压（VDSS）为30V，能够承受的栅源电压（VGSS）为±20V。在25℃环境温度下，连续的漏极电流（ID）可达到100A，而在70℃时则为100A。硅片限制下的连续漏极电流在25℃时为183A，在70℃时为147A。脉冲漏极电流（IDM）的最大值为400A，而最大功耗（PD）在25℃时为83W。 该MOSFET的热特性也值得一提，其最大结到环境的热阻（RthJA）在短时间内（t≤10s）为23°C/W，而稳态下结到壳的热阻（RthJC）仅为1.5°C/W。这表明LTD1534MFJ具有良好的散热能力，能在高温环境下保持稳定的运行。 LTD1534MFJ的突出特点包括其低的导通电阻（RDS(ON)）。在VGS=10V时，典型值为1.2mΩ，而在VGS=4.5V时，典型值为2.0mΩ。这使得在高电流通过时，器件的功率损耗得以显著降低，从而提高了整体系统的效率。 此外，LTD1534MFJ采用DFN5*6-8L封装，这种紧凑的封装设计有助于在有限的空间内实现更高的功率密度。电气特性参数，如开启电压（VGS(th)）、输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）和反向传输电容（Crss），都是评估MOSFET性能的重要指标，但具体数值需要查看完整的数据手册。 LTD1534MFJ-V4.1是LEADTECK领泰推出的一款高性能N沟道MOSFET，特别适合需要高效能、低损耗的电源管理应用。用户可以通过指定的网址（http://lead-teck.com.tw）了解更多关于产品的详细信息和技术支持。