LEAD-TECK领泰LT授权一级代理：LT2205F MOS管详情

LEAD-TECK领泰LT是一家专注于MOS管技术的公司，作为其授权的一级代理商，KOYUELEC光与电子提供广泛的LEADTECK产品线，其中包括LT2205FMT1/7LT-M-FM-DS374型号的P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET。这款器件是针对高性能、高效率应用设计的，特别适合于DC-DC转换器、电源管理功能以及电池管理系统等场合。 LT2205FMT1/7LT-M-FM-DS374的关键规格如下： 1. **电压参数**： - Drain-Source Voltage (VDSS): 最大允许电压为-12V，确保在正常操作时不会超过这个极限。 - Gate-Source Voltage (VGSS): 双向工作电压范围为±12V，支持宽广的控制信号输入。 2. **电流能力**： - Continuous Drain Current (ID) 在25°C时为-19.2A，而在70°C环境下下降到-12.1A。 - Pulse Drain Current (IDM) 在短时间内能承受高达-70A的峰值电流。 3. **功率消耗**： - Power Dissipation (PD) 在25°C下限制为8.3W，需确保散热设计以避免过热。 4. **温度范围**： - Operating Temperature: 设计工作范围为-55°C至150°C，保证在各种环境条件下稳定运行。 - Storage Temperature: 安全储存温度同样宽泛，便于长期存储和运输。 5. **热阻特性**： - Junction-to-Ambient Thermal Resistance (RthJA): 稳态下的最大值为63°C/W，反映了器件在散热条件下的热性能。 - Junction-to-Case Thermal Resistance (RthJC): 热阻从芯片到外壳的稳定状态下约为15°C/W，有助于散热。 6. **典型漏极电阻**： - RDS(ON) 在VGS=-4.5V时典型值为12mΩ，而在VGS=-2.5V时为17mΩ，这些数值显示了器件在不同栅极电压下的开关性能。 7. **封装形式**： - 提供TDFN2*2-6L封装，这是一种紧凑型封装，适合空间受限的应用场景。 LEAD-TECK LT2205FMT1/7LT-M-FM-DS374 MOS管作为一款高效能、高可靠性的开关元件，适用于需要高效转换和精确控制电流的电子系统设计，通过选择合适的封装和散热方案，可广泛应用于现代电子设备的电源管理和转换电路中。购买时，请务必查阅最新的数据手册以获取最新规格和注意事项。