IRF7389TRPBF-VB：N+P沟道30V TrenchFET MOSFET技术规格

"IRF7389TRPBF-VB是一种N+P沟道的30V MOSFET，采用SOP8封装，符合RoHS指令，并且是无卤素设计。这款MOSFET是TrenchFET功率MOSFET，100%通过Rg和UIS测试。它适用于电机驱动等应用。N通道和P通道的主要参数包括：N通道在VGS=10V时的RDS(on)为0.018Ω，最大ID为8A，而P通道在VGS=-10V时的RDS(on)为0.032Ω，最大ID为-8A。绝对最大额定值包括：VDS为30V（N通道）和-30V（P通道），VGS为±20V，连续 Drain电流在不同温度下有所不同。此外，它还具有源漏二极管特性。" IRF7389TRPBF-VB是一款由国际整流器公司（IRF）制造的双沟道MOSFET，其中包含一个N沟道和一个P沟道器件。这款MOSFET采用先进的TrenchFET技术，这种技术通过在MOSFET的晶体管结构中使用沟槽形状，实现了更高的开关速度和更低的导通电阻，从而提高了效率和性能。 产品特性包括： 1. 无卤素设计，符合IEC61249-2-21标准，意味着它不含有卤化物质，对环境友好。 2. TrenchFET技术，降低了RDS(on)，使得在低电压操作时能保持低电阻，提高电源转换效率。 3. 经过100%的Rg和UIS测试，确保了器件的可靠性和安全性。 4. 符合RoHS指令2002/95/EC，符合环保要求。 在应用方面，IRF7389TRPBF-VB适用于电机驱动，这是因为其能够处理较高的电流和电压，并且具备快速开关的能力，适合于电源管理、负载切换以及电机控制等需要高效能和低损耗的应用场景。 规格参数方面： - N通道的MOSFET在VGS=10V时，其导通电阻RDS(on)仅为0.018Ω，允许的最大直流电流ID为8A。 - P通道的MOSFET在VGS=-10V时，RDS(on)为0.032Ω，最大ID为-8A（负电流，表示从源极流向漏极）。 - 所有的绝对最大额定值，如源漏电压VDS，门极源极电压VGS，以及在不同温度下的连续漏极电流ID，都需要在指定的温度条件下操作，以避免器件损坏。 此外，该器件还内置了源漏二极管，可以在需要反向电流流动时提供路径，如在电机反转或能量回馈等情况。 IRF7389TRPBF-VB是一款高性能的双沟道MOSFET，适用于要求低功耗、高效率和可靠性的电路设计。其优秀的电气特性和封装形式使其成为许多电子设计中的理想选择。