英飞凌IPB120N10S403ATMA1芯片中文规格书：OptiMOS™-T2 功率晶体管

"IPB120N10S403ATMA1是一款由英飞凌科技（INFINEON）制造的N沟道增强型OptiMOS™-T2功率晶体管。该芯片主要特点包括符合AECQ101汽车级质量标准、具有MSL1级别最高260°C峰值再流温度、工作温度高达175°C、绿色环保（RoHS符合）、100%进行了雪崩测试。" 此规格书手册提供了关键的技术参数，例如在25°C时，连续漏电流（ID）的最大值为120A，而在100°C时仍保持这一水平。脉冲漏电流（ID,pulse）在25°C时可达480A，表明了芯片在短时高负荷下的能力。单脉冲雪崩能量（EAS）在ID=60A时为920mJ，显示了其承受过载能力。栅源电压（VGS）的允许范围是±20V，确保了良好的控制特性。 在功率方面，总功耗（Ptot）在25°C时不超过278W，这使得该芯片适合于高功率应用。操作和存储温度范围宽泛，从-55°C到175°C，增强了其在各种环境条件下的稳定性。阈值电压（VDS）为80V，而最大漏极-源极导通电阻（RDS(on),max）为2.5mΩ，这对于低阻抗应用至关重要。 IPB120N10S403ATMA1采用了不同的封装形式，如PG-TO263-3-2、PG-TO262-3-1和PG-TO220-3-1，对应的标记分别为4N0803。这些封装设计考虑了散热性能和安装兼容性，以适应不同的电路板布局需求。 此外，手册中还提到了热特性参数，如热阻（RθJA, RθJC等），这些参数对评估芯片在不同散热条件下的工作表现至关重要。然而，具体数值并未在给出的部分内容中列出。完整的规格书中会包含这些详细信息，以帮助设计者评估器件在实际应用中的散热性能和可靠性。 IPB120N10S403ATMA1是一款高性能的功率MOSFET，适用于需要高效率、高可靠性和良好热管理的汽车电子、工业自动化、电源管理和电机驱动等领域。通过其优秀的电气特性和封装选择，英飞凌的这款产品为工程师提供了强大且灵活的设计工具。