FDS9948-NL-VB双P-Channel场效应MOS管 datasheet

FDS9948-NL-VB一款SOP8封装2个P-Channel场效应MOS管 FDS9948-NL-VB是一款P-Channel场效应MOS管，封装在SOP8封装中，具有两个独立的P-Channel沟道。该器件的漏源电压（VDS）可达-60V，漏电流（ID）可达-5.3A，导通电阻（RDS(on)）为58mΩ@VGS=10V，门源阈值电压（Vth）为-1~-3V。 该器件具有halogen-free和TrenchFET®PowerMOSFET特性，且经100% UI测试。它适用于负载开关、电源管理、DC-DC转换器、motor驱动等应用场景。 从datasheet中可以看到，该器件的特性包括： * 漏源电压（VDS）：-60V * 漏电流（ID）：-5.3A * 导通电阻（RDS(on)）：58mΩ@VGS=10V * 门源阈值电压（Vth）：-1~-3V * 门源电压（VGS）：±20V 在应用中，需要注意该器件的绝对最大额定值，包括： * 漏源电压（VDS）：-60V * 门源电压（VGS）：±20V * 漏电流（ID）：-5.3A * 导通电阻（RDS(on)）：58mΩ@VGS=10V 此外，datasheet还提供了该器件的热设计参数，包括： * 结温（TJ）：-55°C to 150°C * 热阻抗（RthJA）：85°C/W * 最大功率损耗（PD）：4.0W 在设计和应用中，需要考虑这些参数，以确保器件的可靠性和稳定性。 此外，该器件还具有以下特性： * 无卤素设计 * TrenchFET®PowerMOSFET结构 * 100% UI测试 FDS9948-NL-VB是一款功能强大、可靠性高的P-Channel场效应MOS管，适用于各种电源管理和电机驱动应用场景。